TCET1100/TCET1100G
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
高Temperarure
I
C
- 集电极电流（毫安）
V
CE
= 5
V
10
CTR - 电流传输比（ ％ ）
100
1000
V
CE
= 5
V
100
1
10
0.1
0.01
0.1
95 11027
1
10
100
1
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
95 11029
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 10 - 集电极电流与正向电流
图。 13 - 电流传输比与正向电流
I
C
- 集电极电流（毫安）
20毫安
I
F
= 50毫安
10
10毫安
5毫安
2毫安
1毫安
0.1
0.1
1
10
100
t
on
/t
关闭
- 导通/关断时间（μs ）
100
10
非饱和
手术
V
S
= 5
V
R
L
= 100
Ω
8
6
t
on
t
关闭
4
2
0
0
2
4
6
8
1
95 10985
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
95 11030
I
C
- 集电极电流（毫安）
图。 11 - 集电极电流与集电极发射极电压
图。 14 - 导通/关闭时间与集电极电流
20
％使用
t
on
/t
关闭
- 导通/关断时间（μs ）
1.0
50
饱和运算
V
S
= 5
V
R
L
= 1 kΩ
V
CESAT
- 集电极发射极
饱和
电压
(V)
0.8
CTR = 50
%
二手
0.6
40
30
t
关闭
20
10
0
0
5
10
15
t
on
20
0.4
0.2
10
％使用
0
1
10
100
95 11028
I
C
- 集电极电流（毫安）
95 11031
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 12 - 集电极发射极饱和电压与
集电极电流
图。 15 - 导通/关闭时间与正向电流
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文档编号： 83503
2.2版， 16 08年5月
