TCET1100/TCET1100G
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
高Temperarure
I
F
0
I
C
100
%
90
%
t
p
t
10
%
0
t
r
t
d
t
on
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
96 11698
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
图。 5 - 开关时间
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
300
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
150
100
50
0
0
40
80
120
红外二极管
CTR
REL
- 相对电流传输比
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
2.0
V
CE
= 5
V
I
F
= 5毫安
1.5
1.0
0.5
96 11700
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
0
- 25
0
25
50
75
95 11025
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 6 - 总功率耗散与环境温度
图。 8 - 相对电流传输比主场迎战
环境温度
10 000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
同
开基（ NA）
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
1000
V
CE
= 20
V
I
F
= 0
100
100
10
10
1
1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0
95 11026
25
50
75
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
F
- 前进
电压
(V)
图。 9 - 集电极暗电流与环境温度
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815
图。 7 - 正向电流与正向电压
文档编号： 83503
2.2版， 16 08年5月
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