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三菱微型计算机
M37906F8CFP ， M37906F8CSP
16位微机的CMOS
闪存的并行I / O模式
并行闪存I / O模式来操作间
内部闪存存储器的并行编程。这种并行编程
聚体采用表1中做了闪光灯列出的软件命令
内存操作，如读/编程/擦除操作
系统蒸发散。
用户ROM区和引导ROM区
用户ROM区和引导ROM区域可以被重新编程
并行闪存I / O模式。
编程和块擦除操作只能执行
到这些区域。
引导ROM区域， 8字节的规模，被分配到地址
0000
16
–1FFF
16
，使编程和块擦除操作
可以仅执行这一领域。 （访问任何的地址出
禁止这个区域） 。
在引导ROM区的擦除块只有一个街区， consist-
荷兰国际集团的8字节。中所使用的重编程控制固件
闪速存储器的串行I / O模式已被存储到该引导ROM
区域上我们的货。因此，不重新编程的引导ROM
区，如果用户使用了闪速存储器的串行I / O模式。
不要编写到地址FF90
16
到FF9F
16
因为这个区域是
保留区为程序员。
需要注意的是，在引导ROM区域从在该CPU读出
CPU重新编程模式下，后述，其地址会
转移到E000
16—
FFFF
16
.
表1.软件的命令（flash存储器的并行I / O模式）
软件命令
读阵列
读状态寄存器
清除状态寄存器
程序设计
块擦除
删除所有块
地址FF90
16
到FF9F
16
都为平行的保留区
程序员。因此，当用户使用闪速存储器paral-
LEL I / O模式，不进行编程，这方面的。
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