PRE
.
离子。焊割
ICAT
ECIF ECT到c
p
人s SUBJ
散热片
e
不MITS AR
is
他TRIC李
T
me
冰：
不ê段
m
So
LIM
元
IN
三菱微型计算机
M37906F8CFP ， M37906F8CSP
16位微机的CMOS
FLASH MEMORY MODE
这些微型计算机包含闪速存储器;和单加电
供给重编程可用于此。这些微型计算机
有以下三种模式，使读/编程/ era-
为确保闪存：
闪存并行I / O模式和闪存的串行I / O
模式，其中，所述闪速存储器被使用外部亲处理
语法。
CPU重新编程模式，其中闪存是由处理
中央处理单元（CPU） 。
如图4所示，闪速存储器被划分为若干个
块，并且每个块的擦除是可能的。
这种内部闪存具有引导ROM区存储重现
重新编程的CPU中编程控制软件重现
编程模式和闪速存储器的串行I / O模式，以及
用户ROM区存储了一定的控制软件的正常OP-
关合作在微型计算机的模式。
虽然我们的重编程控制固件闪存
串行I / O模式已存入的船舶─此引导ROM区
换货时，用户原有的重编程控制软件，这是
更适合于用户的系统是可重编程到这个
区，来代替。注意，该重编程为引导ROM区域是
使仅在并行闪速存储器的I / O模式。
001000
16
001000
16
28字节
007FFF
16
008000
16
00FFFF
16
00BFFF
16
00C000
16
16字节
8字节
00DFFF
16
00E000
16
00FFFF
16
8字节
图。 4 M37906F8CFP ， M37906F8CSP ：内部闪存模块配置
12
