中断向量表
模式0 （MA = 0）
开始/结束
地址
内部启动
内部启动
16位外部地址总线
模式1
1
（ MA = 1 ）
外部引导
EMI_MODE = 0
2
,
3
16位外部地址总线
EMI_MODE = 1
4
20位外部地址总线
外部程序存储器
6
P： $ 1F FFFF
P:$10 0000
P： $ 0F FFFF
P:$05 0000
P： 04美元FFFF
P： 04美元F800
P： 04美元F7FF
P:$04 4000
P： 04美元3FFF
P:$04 0000
外部程序存储器
5
外部程序存储器
5
片内程序RAM
4KB
版权所有
92KB
引导闪存
32KB
COP复位地址= 04 0002
启动位置= 04 0000
内部程序闪存
8
256KB
引导闪存
32KB
（在此模式不用于引导）
内部程序闪存
256KB
内部程序闪存
128KB
外部程序存储器
COP复位地址= 00 0002
启动位置= 00 0000
外部程序存储器
COP复位地址= 04 0002
7
启动位置= 04 0000
7
P： 03美元FFFF
P:$02 0000
P： 01美元FFFF
P:$01 0000
P： 00美元FFFF
P:$00 0000
内部程序闪存
8
256KB
1.如果Flash安全模式被激活， EXTBOOT模式1不能使用。看
安全特性，
第7部分。
2，此模式提供最大的兼容性与56F80x部分同时经营外部。
3. “ EMI_MODE = 0 ”时， EMI_MODE引脚连接到地启动起来。
4. “ EMI_MODE = 1 ”时， EMI_MODE引脚连接到V
DD
在启动了。
5.不可访问的复位结构中，由于地址是上面P： 00美元FFFF 。较高位的地址/ GPIO的（和/或芯片
在此之前外部存储器访问选择）引脚必须重新配置。
6.不可访问的复位结构中，由于地址是上面P： $ 0F FFFF 。较高位的地址/ GPIO的（和/或芯片
在此之前外部存储器访问选择）引脚必须重新配置。
从这个外部地址7.启动允许内部引导闪存原型。
8.两个独立的程序闪存模块允许一个编程/而从另一个执行擦除。每块必须
有自己的整体擦除。
4.3中断向量表
表4-5
提供了复位和中断优先级结构，包括片上外设。该表是
组织在顶部和更高优先级的矢量较低优先级的中断下表中。该
中断的优先级可以被分配到不同的等级，所指示的，从而允许一定的控制
中断优先级。所有3级的中断将2级前服务，等等。对于选定的优先级
水平，最低的矢量数的优先级最高。
56F8367技术数据，第9
飞思卡尔半导体公司
初步
43
由于从美国国际贸易委员会的命令， BGA封装生产线和部分数字表示这里目前没有
MC56F8367 ， MC56F8167 ：在美国进口或销售至2010年9月之前，可从飞思卡尔
表4-4程序存储器映射在复位
