注册
在OCCS_COHL位高为好。
XTAL
外
时钟
EXTAL
V
SS
注意：当使用外部时钟源
该配置中，输入“ CLKMODE ”应
在OSCTL寄存器高， COHL位
应该被设置为1 。
由于从美国国际贸易委员会的命令， BGA封装生产线和部分数字表示这里目前没有
MC56F8367 ， MC56F8167 ：在美国进口或销售至2010年9月之前，可从飞思卡尔
图3-4连接外部时钟寄存器
3.3寄存器
当提及在对OCCS寄存器定义
56F8300外设用户手册，
使用
注册德网络nitions
没有
内部张弛振荡器，由于56F8367 / 56F8167不
包含此振荡器。
第4部分内存工作模式（ MEM ）
4.1简介
该56F8367和56F8167设备是基于56800E内核16位电机控制芯片。这些部件
使用哈佛式架构的数据和程序两个独立的内存空间。片上
RAM和闪存存储器被用在两个空间。
本章提供存储器映射：
程序地址空间包括中断向量表
数据地址空间包括EOnCE内存和外设存储器映射
片上存储器的大小为每个设备总结于
表4-1 。
闪存“限制
中的“使用限制”一栏标识
表4-1 。
注意：
数据闪存和RAM的程序是不可用56F8167设备上。
表4-1芯片的内存配置
片上存储器
节目FL灰
数据闪存
56F8367
512KB
32KB
56F8167
512KB
—
使用限制
通过闪存接口单元的擦除/编程和文字写到
CDBW
通过闪存接口单元的擦除/编程和文字写到
CDBW 。数据闪存可以通过一个CDBR或XDB2 ，但读
不能同时进行
无
无
通过闪存接口单元和字擦除/编程来CDWB
程序RAM
数据RAM
程序启动闪存
4KB
32KB
32KB
—
32KB
32KB
56F8367技术数据，第9
飞思卡尔半导体公司
初步
41
