SSM4816SM
MOSFET-2
180
125
150
T
A
= 25 C
7.0V
100
o
10V
T
A
=150 C
I
D
，漏电流（ A）
o
10V
7.0V
I
D
，漏电流（ A）
120
75
90
5.0V
50
5.0V
60
4.5V
V
G
= 3.0V
4.5V
V
G
= 3.0V
25
30
0
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
20
1.6
图2.典型的输出特性
I
D
= 11 A
V
G
=10V
I
D
=8A
18
归一化
DS （ ON）
T
A
=25 C
R
DS （ ON）
(m
)
16
o
1.4
1.2
14
1.0
12
0.8
10
3
5
7
9
11
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻与栅极电压
图4.归一导通电阻
- 结温
2.0
10.00
1.9
1.00
V
GS （ TH）
(V)
1.1
1.8
I
S
(A)
T
j
=150 C
o
T
j
=25
o
C
1.7
0.10
1.6
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.5
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
Rev.1.01 2004年4月16日
图6.栅极阈值电压与
结温
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