SSM4816SM
MOSFET-1
f=1.0MHz
16
1000
I
D
=6A
V
GS
，门源电压（ V）
12
C
国际空间站
8
C（ pF）的
V
DS
=15V
V
DS
=20V
V
DS
=24V
C
OSS
100
C
RSS
4
0
0
5
10
15
20
25
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
归热响应（R
thJA
)
10
100us
1ms
0.2
0.1
0.1
0.05
I
D
(A)
1
10ms
100ms
0.02
0.01
P
DM
0.01
t
单脉冲
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=125°C/W
0.1
T
A
=25 C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
o
1s
DC
0.001
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
Rev.1.01 2004年4月16日
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