初步
的PSoC
3 ： CY8C38系列数据表
6.2.1.3睡眠模式
休眠模式可降低功耗时的恢复时间
12微秒是可以接受的。唤醒时间用于确保该
稳压器输出足够稳定，直接进入活跃
模式。
6.2.1.4休眠模式
在休眠模式下，几乎所有的内部功能
禁用。内部电压被降低到最低程度，以
关键系统保持活动。配置状态在保留
休眠模式和SRAM存储器被保留。个GPIO
配置为数字输出将保持其先前的值，并
外部GPIO引脚中断设置都将保留。该
冬眠复位（ HRES ）发生在内部的电压下降到低于
所需的状态保持在最低水平。该设备可以
只有从休眠模式的响应返回给外部I / O
中断。从休眠模式恢复的时间不足
100 s.
6.2.1.5唤醒事件
唤醒事件是可配置的，可以来自一个中断
或设备复位。一个唤醒事件将系统恢复活跃
模式。固件允许的中断源包括内部
产生的中断，电源监控器，中央时轮和
I / O中断。内部中断源可以来自各种
的外围设备，如模拟比较器和UDB 。该
中央时轮提供周期性的中断，使
唤醒系统，轮询外设或执行实时
功能。复位事件来源包括外部复位I / O引脚
（ XRES ） ，WDT和精密复位（ PRES ） 。
6.2.2升压转换器
使用小于1.71V的电源电压的应用，例如
如太阳能或单个电池供电，可以使用片上提振
转换器。升压转换器也可以在任何系统中使用
需要较高的工作电压比电源提供。
举例来说，这包括驱动5.0V LCD玻璃在3.3V
系统。升压转换器可以接受的输入电压可低至
0.5V 。通过一个低成本电感，它可以生成一个可选的输出
电压提供足够的电流来运行PSoC及其他
板载组件。
升压转换器可以接受的输入电压从0.5V到5.5V
（ VBAT） 。该转换器提供一个用户可配置的输出
电压1.8 5.0V （了Vboost ） ; Vbat的必须小于了Vboost 。
该模块可以提供高达50 mA （ IBOOST ）根据config-
uration 。
四个引脚与升压转换器相关： VBAT ， VSSB ，
VBOOST ，并印第安纳州的升压输出电压进行检测的
VBOOST销和必须直接连接到芯片的供电
输入。一个电感器之间的VBAT和工业标签。
设计者可以优化电感值，以增加
升压转换器的效率基础上的输入电压，输出
电压，电流和开关频率。外部肖特基
如图二极管
图6-4
只需要在情况下，当
Vboost>3.6V.
图6-4 。应用升压转换器
VBOOST
可选
肖特基二极管
只要求
VBOOST > 3.6V
VDDA Vddd的的Vddio
IND
22 F 0. 1 F
10 H
SMP
的PSoC
VBAT
22 F
VSSB
VSSA
VSSD
升压转换器可以在两种不同模式下操作：
主备。主动模式是正常操作模式
其中，升压稳压器主动生成稳压输出
电压。在待机模式下，大多数升压功能被禁用，
这样就减少了升压电路的功耗。该
转换器可以被配置为提供低功耗，低电流
调节在待机模式下。外部32 kHz晶振
被用于产生电感升压脉冲的上升和
落入时钟的边沿，当输出电压小于
编程值。这被称为自动扑通模式（ATM） 。
升压通常为200 μA，在主动模式下，12 μA的
待机模式。所述升压操作模式，必须在使用
与芯片功耗模式结合使用，以总芯片减少
功耗。
表6-4
列出了助推力模式
可以在不同的芯片功耗模式。
表6-4 。芯片与升压功耗模式的兼容性
芯片功耗模式
升压电源模式
芯片 - 主动模式
芯片 - 睡眠模式
提升可以在任一活动操作
或待机模式。
提升可以在任一活动操作
或待机模式。然而，它是中建议
谁料操作提升待机
模式为低功耗
升压转换器只能在主动操作
模式。然而，建议不
使用升压芯片休眠模式
由于高的电流消耗
升压工作模式
芯片休眠模式
开关频率可设置为100千赫， 400千赫， 2兆赫兹，
或32千赫，以优化效率和元件成本。 100
千赫兹时，产生400千赫和2 MHz的开关频率
使用振荡器内部升压转换器模块。当
32kHz的开关频率被选择时，时钟源自
32 kHz外部晶振。 32 kHz外部时钟
主要用于升压待机模式。
如果升压转换器中没有给定的应用中使用，扎
VBAT ， VSSB和VBOOST引脚接地，并使Ind引脚
悬空。
文件编号： 001-11729修订版* I
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