TCMT1600 / TCMT4600
威世半导体
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
部分
TCMT1600
TCMT4600
符号
CTR
CTR
民
80
80
典型值。
最大
300
300
单位
%
%
开关特性
参数
延迟时间
上升时间
下降时间
贮存时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 k
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 k
（参见图1）
I
F
+5 V
I
C
= 2毫安;
R
G
= 50
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
ms
通道I
道II
50
15234
符号
t
d
t
r
t
f
t
s
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
民
典型值。
3.0
3.0
4.7
0.3
6.0
5.0
9.0
18.0
最大
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
0
I
F
I
F
调整后通过量
输入幅度
96 11698
0
I
C
100%
90%
t
p
t
100
示波器
R
L
= 1 M
C
L
= 20 pF的
10%
0
t
r
t
d
t
on
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
图1.测试电路，非饱和运算
图3.开关时间
0
I
F
I
F
= 10毫安
+5 V
R
G
= 50
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
ms
通道I
道II
50
15235
1 k
示波器
R
L
= 1 M
C
L
= 20 pF的
图2.测试电路，饱和运算
文档编号83512
修订版1.5 ， 02 - 05
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