TCMT1600 / TCMT4600
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，交流输入，单路/四路
道，半间距微型扁平封装
特点
薄型封装（半间距）
AC绝缘测试电压3750 V
RMS
典型的0.3 pF的低耦合电容
CTR的低温度系数
环境温度范围宽
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
17224
C
E
9
机构认证
UL1577 ，文件号。 E76222系统代码男，双
保护
C- UL CSA 22.2公告5A ，系统代码ü
1
A
4针
16针
2
C
8
应用
可编程逻辑控制器
C
e3
e3
Pb
Pb
无铅
无铅
描述
低调Miniflat包包括一个光耦合器
PLER交流输入和晶体管输出。它是可用
能够在单信道（ 4针） TCMT1600或四
通道（ 16引脚） TCMT4600 。
订购信息
部分
TCMT1600
TCMT4600
TCMT4600T0*
备注
CTR 80 - 300 ％ ，单通道， SMD- 4
CTR 80 - 300 ％ ，四通道， SMD- 16
CTR 80 - 300 ％ ，四通道， SMD- 16
注：仅适用于磁带和卷轴。
*产品旋转卷带式腔体180 ° 。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
6
± 60
± 1.5
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
文档编号83512
修订版1.5 ， 02 - 05
www.vishay.com
1
TCMT1600 / TCMT4600
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度
范围
存储温度范围
焊接温度
1)
测试条件
符号
V
ISO1)
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
价值
3750
250
- 40至+ 100
- 40至+ 100
240
单位
V
RMS
mW
°C
°C
°C
相关标准气候23/50 DIN 50014
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
民
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极暗电流
测试条件
I
C
= 100
A
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V，I
F
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
70
7
100
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
电容（输入输出）
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V,
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
IO
100
0.3
民
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
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2
文档编号83512
修订版1.5 ， 02 - 05
TCMT1600 / TCMT4600
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
300
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
V
CE
= 20 V
I
F
= 0
1000
150
红外二极管
100
50
0
0
40
80
120
100
10
1
0
95 11026
25
50
75
100
96 1
1700
T
AMB
- 环境牛逼
emperature （ ° C）
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
图4.总功率耗散与环境温度
图7.集电极暗电流与环境温度
100
I
C
- 集电极电流（mA ）
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
V
CE
=5V
10
100
10
1
1
0.1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0.01
0.1
95 11027
1
10
100
V
F
- 正向电压（ V）
I
F
- 正向电流（mA ）
图5.正向电流与正向电压
图8.集电极电流与正向电流
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
I
C
- 集电极电流（mA ）
100
V
CE
=5V
I
F
=5mA
20mA
I
F
=50mA
10
10mA
5mA
2mA
1mA
0.1
0.1
95 10985
1.5
1.0
1
0.5
0
–25
0
25
50
75
1
10
100
95 11025
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图6.相对电流传输比与环境
温度
图9.集电极电流与集电极发射极电压
www.vishay.com
4
文档编号83512
修订版1.5 ， 02 - 05
TCMT1600 / TCMT4600
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，交流输入，单路/四路
道，半间距微型扁平封装
特点
薄型封装（半间距）
AC绝缘测试电压3750 V
RMS
典型的0.3 pF的低耦合电容
CTR的低温度系数
环境温度范围宽
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
17224
C
E
9
机构认证
UL1577 ，文件号。 E76222系统代码男，双
保护
C- UL CSA 22.2公告5A ，系统代码ü
1
A
4针
16针
2
C
8
应用
可编程逻辑控制器
C
e3
e3
Pb
Pb
无铅
无铅
描述
低调Miniflat包包括一个光耦合器
PLER交流输入和晶体管输出。它是可用
能够在单信道（ 4针） TCMT1600或四
通道（ 16引脚） TCMT4600 。
订购信息
部分
TCMT1600
TCMT4600
TCMT4600T0*
备注
CTR 80 - 300 ％ ，单通道， SMD- 4
CTR 80 - 300 ％ ，四通道， SMD- 16
CTR 80 - 300 ％ ，四通道， SMD- 16
注：仅适用于磁带和卷轴。
*产品旋转卷带式腔体180 ° 。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
6
± 60
± 1.5
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
文档编号83512
修订版1.5 ， 02 - 05
www.vishay.com
1
TCMT1600 / TCMT4600
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度
范围
存储温度范围
焊接温度
1)
测试条件
符号
V
ISO1)
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
价值
3750
250
- 40至+ 100
- 40至+ 100
240
单位
V
RMS
mW
°C
°C
°C
相关标准气候23/50 DIN 50014
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
民
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极暗电流
测试条件
I
C
= 100
A
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V，I
F
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
70
7
100
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
电容（输入输出）
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V,
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
IO
100
0.3
民
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
www.vishay.com
2
文档编号83512
修订版1.5 ， 02 - 05
TCMT1600 / TCMT4600
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
300
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
V
CE
= 20 V
I
F
= 0
1000
150
红外二极管
100
50
0
0
40
80
120
100
10
1
0
95 11026
25
50
75
100
96 1
1700
T
AMB
- 环境牛逼
emperature （ ° C）
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
图4.总功率耗散与环境温度
图7.集电极暗电流与环境温度
100
I
C
- 集电极电流（mA ）
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
V
CE
=5V
10
100
10
1
1
0.1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0.01
0.1
95 11027
1
10
100
V
F
- 正向电压（ V）
I
F
- 正向电流（mA ）
图5.正向电流与正向电压
图8.集电极电流与正向电流
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
I
C
- 集电极电流（mA ）
100
V
CE
=5V
I
F
=5mA
20mA
I
F
=50mA
10
10mA
5mA
2mA
1mA
0.1
0.1
95 10985
1.5
1.0
1
0.5
0
–25
0
25
50
75
1
10
100
95 11025
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图6.相对电流传输比与环境
温度
图9.集电极电流与集电极发射极电压
www.vishay.com
4
文档编号83512
修订版1.5 ， 02 - 05
TCMT1600 / TCMT4600系列
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，交流输入，单路/四路
道，半间距迷你平板
特点
薄型封装（半间距）
交流隔离测试电压3750 V
RMS
典型0.3 pF的低耦合电容
CTR的低温度系数
C
E
9
较宽的环境温度范围
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
1
A
4针
2
C
8
应用
可编程逻辑控制器
16针
17224
机构认证
C
UL1577 ，文件号。 E76222系统代码男，双重保护
C- UL CSA 22.2 5A公告
描述
miniflat包低调包括与光耦
AC输入和晶体管输出。它是在单个可
通道（ 4针） TCMT1600或四通道（ 16引脚）
TCMT4600.
订购信息
部分
TCMT1600
TCMT1600T3
TCMT4600
TCMT4600T1
TCMT4606
笔记
仅在磁带和卷轴。
(1)
产品旋转卷带式腔体180 ° 。
(1)
(1)
备注
点击率80 300 ％ ，单信道， SOP- 4
点击率80 300 ％ ，单信道， SOP- 4
点击率80 300％ ，四信道，SOP -16
点击率80 300％ ，四信道，SOP -16
点击率100 300％ ，四信道，SOP -16
绝对最大额定值
(1)
参数
输入
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
P
/T = 0.5, t
P
≤
10毫秒
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
70
7
50
100
150
125
V
V
mA
mA
mW
°C
t
P
≤
10 s
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
6
± 60
± 1.5
100
125
V
mA
A
mW
°C
测试条件
符号
价值
单位
文档编号： 83512
修订版1.8 ， 16 08年5月
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
907
TCMT1600 / TCMT4600系列
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， AC输入，
单/四通道半节距微型扁平
绝对最大额定值
(1)
参数
耦合器
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
(2)
相关标准气候
23/50 DIN 50014
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
3750
250
- 40至+ 100
- 40至+ 100
260
V
RMS
mW
°C
°C
°C
测试条件
符号
价值
单位
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件的焊接条件。
电气特性
参数
输入
正向电压
结电容
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极暗电流
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
截止频率
电容（输入输出）
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
Ω
F = 1 MHz的
V
CESAT
f
c
C
IO
100
0.3
0.3
V
千赫
pF
I
C
= 100 A
I
E
= 100 A
V
CE
= 20 V，I
F
= 0, E = 0
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
70
7
100
V
V
nA
I
F
= 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
C
j
1.25
50
1.6
V
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
部分
TCMT1600
TCMT4600
TCMT4606
符号
CTR
CTR
CTR
分钟。
80
80
100
典型值。
马克斯。
300
300
300
单位
%
%
%
开关特性
参数
延迟时间
上升时间
下降时间
贮存时间
开启时间
打开-O FF时间
www.vishay.com
908
测试条件
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω
（参见图1）
符号
t
d
t
r
t
f
t
s
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
3.0
3.0
4.7
0.3
6.0
5.0
马克斯。
单位
s
s
s
s
s
s
文档编号： 83512
修订版1.8 ， 16 08年5月
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
TCMT1600 / TCMT4600系列
光电耦合器，光电晶体管输出， AC输入，
单/四通道半节距微型扁平
开关特性
参数
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 kΩ
（参见图2）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 kΩ
（参见图2）
符号
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
9.0
18.0
马克斯。
单位
s
s
威世半导体
I
F
0
I
F
I
F
+5
V
I
C
= 2毫安;
通过调整
输入幅度
0
I
C
100
%
90
%
t
p
t
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
s
通道I
道II
50
Ω
15234
10
%
0
100
Ω
示波器
R
L
= 1 MΩ
C
L
= 20 pF的
t
r
t
d
t
on
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
96 11698
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
图。 1 - 测试电路，非饱和运算
图。 3 - 开关时间
0
I
F
I
F
= 10毫安
+5
V
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
s
通道I
道II
50
Ω
15235
1 kΩ
示波器
R
L
= 1 MΩ
C
L
= 20 pF的
图。 2 - 测试电路，饱和运算
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
150
100
50
0
0
40
80
120
红外二极管
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
100
10
1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
96 11700
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
F
- 前进
电压
(V)
图。 4 - 总功率耗散与环境温度
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图。 5 - 正向电流与正向电压
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TCMT1600 / TCMT4600系列
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， AC输入，
单/四通道半节距微型扁平
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
V
CE
= 5
V
I
F
= 5毫安
1.5
20毫安
I
F
= 50毫安
10
10毫安
5毫安
2毫安
1毫安
0.1
1.0
1
0.5
0
- 25
0
25
50
75
0.1
95 10985
1
10
100
95 11025
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
图。 6 - 相对电流传输比主场迎战
环境温度
图。 9 - 集电极电流与集电极发射极电压
10 000
1.0
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
同
开基（ NA）
V
CESAT
- 集电极发射极
饱和
电压
(V)
1000
V
CE
= 20
V
I
F
= 0
20
％使用
0.8
CTR = 50
%
二手
0.6
100
0.4
0.2
10
％使用
0
1
10
100
10
1
0
95 11026
25
50
75
100
95 11028
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
I
C
- 集电极电流（毫安）
图。 7 - 集电极暗电流与环境温度
图。 10 - 集电极发射极饱和电压与
集电极电流
I
C
- 集电极电流（毫安）
V
CE
= 5
V
10
CTR - 电流传输比（ ％ ）
100
1000
V
CE
= 5
V
100
1
10
0.1
0.01
0.1
95 11027
1
10
100
1
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
95 11029
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 8 - 集电极电流与正向电流
图。 11 - 电流传输比与正向电流
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光电耦合器，光电晶体管输出， AC输入，
单/四通道半节距微型扁平
威世半导体
t
on
/t
关闭
- 导通/关断时间（μs ）
t
on
/t
关闭
- 导通/关断时间（μs ）
50
饱和运算
V
S
= 5
V
R
L
= 1 kΩ
10
非饱和
手术
V
S
= 5
V
R
L
= 100
Ω
40
30
8
6
t
on
t
关闭
20
10
0
0
5
10
15
t
on
20
t
关闭
4
2
0
0
2
4
6
8
95 11031
I
F
- 正向电流（mA ）
95 11030
I
C
- 集电极电流（毫安）
图。 12 - 导通/关断时间与正向电流
图。 13 - 导通/关断时间与集电极电流
包装尺寸
以毫米为单位
7
- 0.4
2.8 MAX 。
2.1 MAX 。
2.5
4.4 ± 0.2
0.1 ± 0.1
+ 0.3
1.9
0.45 ± 0.1
1.27 NOM 。
4
3
可能的足迹
1.27 (0.05)
0.9 (0.035)
5 (0.2)
7.6 (0.3)
16283
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
1
2
针没有。 1鉴定
0.15
+ 0.10
- 0.05
+ 0.3
0.7
- 0.4
文档编号： 83512
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TCMT1600 / TCMT4600
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，交流输入，单路/四路
道，半间距微型扁平封装
特点
薄型封装（半间距）
AC绝缘测试电压3750 V
RMS
典型的0.3 pF的低耦合电容
CTR的低温度系数
环境温度范围宽
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
17224
C
E
9
机构认证
UL1577 ，文件号。 E76222系统代码男，双
保护
C- UL CSA 22.2公告5A ，系统代码ü
1
A
4针
16针
2
C
8
应用
可编程逻辑控制器
C
e3
e3
Pb
Pb
无铅
无铅
描述
低调Miniflat包包括一个光耦合器
PLER交流输入和晶体管输出。它是可用
能够在单信道（ 4针） TCMT1600或四
通道（ 16引脚） TCMT4600 。
订购信息
部分
TCMT1600
TCMT4600
TCMT4600T0*
备注
CTR 80 - 300 ％ ，单通道， SMD- 4
CTR 80 - 300 ％ ，四通道， SMD- 16
CTR 80 - 300 ％ ，四通道， SMD- 16
注：仅适用于磁带和卷轴。
*产品旋转卷带式腔体180 ° 。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
6
± 60
± 1.5
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
文档编号83512
修订版1.5 ， 02 - 05
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1
TCMT1600 / TCMT4600
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度
范围
存储温度范围
焊接温度
1)
测试条件
符号
V
ISO1)
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
价值
3750
250
- 40至+ 100
- 40至+ 100
240
单位
V
RMS
mW
°C
°C
°C
相关标准气候23/50 DIN 50014
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
民
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极暗电流
测试条件
I
C
= 100
A
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V，I
F
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
70
7
100
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
电容（输入输出）
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V,
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
IO
100
0.3
民
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
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2
文档编号83512
修订版1.5 ， 02 - 05
TCMT1600 / TCMT4600
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
300
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
V
CE
= 20 V
I
F
= 0
1000
150
红外二极管
100
50
0
0
40
80
120
100
10
1
0
95 11026
25
50
75
100
96 1
1700
T
AMB
- 环境牛逼
emperature （ ° C）
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
图4.总功率耗散与环境温度
图7.集电极暗电流与环境温度
100
I
C
- 集电极电流（mA ）
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
V
CE
=5V
10
100
10
1
1
0.1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0.01
0.1
95 11027
1
10
100
V
F
- 正向电压（ V）
I
F
- 正向电流（mA ）
图5.正向电流与正向电压
图8.集电极电流与正向电流
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
I
C
- 集电极电流（mA ）
100
V
CE
=5V
I
F
=5mA
20mA
I
F
=50mA
10
10mA
5mA
2mA
1mA
0.1
0.1
95 10985
1.5
1.0
1
0.5
0
–25
0
25
50
75
1
10
100
95 11025
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图6.相对电流传输比与环境
温度
图9.集电极电流与集电极发射极电压
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4
文档编号83512
修订版1.5 ， 02 - 05
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