位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第883页 > EVAL-AD5522EBDZ > EVAL-AD5522EBDZ PDF资料 > EVAL-AD5522EBDZ PDF资料1第41页

AD5522
校准引擎完成的第一阶段之前呈现
最后一个通道X2的计算,数据可能会丢失。
对于其他的写入, (PMU ,系统控制寄存器,等等) ,
写命令不能完成( SYNC返回
高),直到BUSY回报高。这是必要的,以确保
校准数据不会丢失并且该校准数据是不
损坏。
表17. BUSY脉冲宽度
行动
加载数据到PMU ,控制系统
寄存器中,或读回
加载X1到1 PMU DAC通道
加载X1 2 PMU DAC通道
加载X1 3 PMU DAC通道
加载X1 4 PMU DAC通道
1
校准引擎TIME
~600ns
写1
600ns
第一次
舞台
写2
600ns
第二
舞台
第一次
舞台
写3
300ns
第三
舞台
第二
舞台
第一次
舞台
第三
舞台
第二
舞台
第三
舞台
06197-036
图54.多单通道写从事的校准引擎
BUSY脉冲宽度
1
最高0.27微秒
最大1.5微秒
最大2.1微秒
最大2.7微秒
最大3.3微秒
注册选择
串行字分配由29位。位28至22位
通用于所有的寄存器,是否写入或读
该设备。该PMU3到PMU0数据位(第27位到第24位)地址
每个PMU通道(或相关DAC寄存器) 。当
PMU3到PMU0位全零,则系统控制寄存器
被处理。
该模式位, MODE0和MODE1 ,针对不同的组
对DAC寄存器和PMU寄存器。
表18.模式位
B23
MODE1
0
0
1
1
B22
MODE0
0
1
0
1
行动
写系统控制寄存器或
该PMU寄存器
写入DAC增益(M )寄存器
写入DAC偏移( C)寄存器
写DAC输入数据( X1 )寄存器
BUSY脉冲宽度=((通道+ 1) ×600毫微秒的数)+ 300纳秒。
BUSY也会变为低电平时上电复位时下降
边缘检测上的RESET引脚。
校准引擎TIME
~600ns
写1
600ns
第一次
舞台
600ns
第二
舞台
第一次
舞台
300ns
第三
舞台
第二
舞台
第一次
舞台
写2
第三
舞台
第二
舞台
第一次
舞台
第三
舞台
第二
舞台
第三
舞台
06197-035
例如,
写3 FIN
DAC寄存器
回读控制, RD / WR
设置RD / WR位( 28位),高启动回读
该PMU ,报警状态,比较状态,系统的序列
控制,或者DAC寄存器,如由地址位来确定。
图53.多次写入DAC寄存器X1
写数据到系统控制寄存器中,PMU控制
寄存器, M寄存器,或C寄存器不涉及
数字校准引擎,从而加快配置
在上电,但应注意设备不发出这些
命令当BUSY为低电平,如前所述。
PMU地址位: PMU3 , PMU2 , PMU1 , PMU0
该PMU3到PMU0数据位(第27位到第24位),每个地址
芯片PMU通道。这些位允许单独控制
每个PMU的一个或多个通道的任意组合,除了
以多声道节目。 PMU位还允许访问
写寄存器,如系统控制寄存器和DAC的
寄存器中,除了来自所有寄存器读取(见表19)。
寄存器更新速率
在X2寄存器的值在每次用户计算
新的数据写入到对应的X 1寄存器。计算
在一个三阶段的过程中进行。第2阶段取
每个大约600纳秒,而第三个阶段是利用近似
三方共同300纳秒。当写入到X1寄存器完成后,
计算过程开始。如果写操作涉及
单个DAC通道的更新时,用户可以自由地写入到
另一个X1的寄存器,条件是该写入操作不
完成( SYNC返回高电平),直到第一阶段计算后
是完整的,即, 600毫微秒完成第一次写的后
操作。
NOP (空操作)
如果加载的NOP (无操作)命令,没有变化是
以DAC或PMU寄存器进行。此代码是非常有用的,当
通过在装置内执行的寄存器的回读(
SDO引脚),其中的DAC代码或PMU功能的改变可能
不是必需的。
RESERVED COMMANDS
未在寄存器地址中描述的任何比特组合
表为PMU ,DAC和系统控制寄存器指示
保留的命令。这些命令是未分配的,并
工厂使用而保留的。以确保正确操作
设备,不使用保留的命令。
版本A |第41页60