TFDU5107
威世半导体
发射机
V
dd1
= 2.4 5.5 V，除非另有说明。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
参数
逻辑CMOS高/低决定
门槛
逻辑低变送器输入
电压
逻辑高电平变送器输入
电压
正向电流限制
输出辐射强度，
标准MIR水平
最大输出脉冲宽度
（人眼安全保护）
光脉冲宽度
光学上升/下降时间
发射的峰值波长
光谱光辐射
带宽
输出辐射强度
过冲，光
上升沿峰峰值抖动
1)
测试条件
符号
V
白细胞介素（ TXD ）
V
白细胞介素（ TXD ）
民
典型值。
1/2 x垂直
逻辑
最大
单位
V
0
0.8
1)
V
逻辑
400
110
250
0.2
1)
V
逻辑
V
逻辑
+ 0.5
V
V
mA
1.5 ＆ LT ; V
逻辑
＆ LT ; 5.5 V
V
dd1
= 3.3 V
|
α
|
≤
± 15 °,
I
F6
= 400毫安
电阻限制
P
WI
> 23
μs
P
WI
= 1.6
μs
P
WI
= 217纳秒
V
IH（ TXD）处
I
F
I
e
320
毫瓦/ SR
P
WOmin
P
WO
P
WO
t
r
, t
f
λ
p
Δλ
23
1.45
210
880
45
80
1.75
226
40
900
μs
μs
ns
ns
nm
nm
TXD逻辑低电平
t
j
0.04
25
0.2
μW / SR
%
μs
开关，电流可以通过外部电阻器，内部电流限制到500 mA的峰值被定义
鉴定
该TFDU5107有一个隐藏身份的选择。一
设备标识可以通过设置在SD回顾
有源随后激活TXD一段短时间。
随着TXD的下降缘，单脉冲gen-
erated在RXD 。
在SD的目的是激活的关断功能
后的1毫秒的延迟。因此，完整的序列
应与1毫秒的时间限制来运行，看图纸
ING 。
t
SD
： > 5
μ
s
对于"real"关机> 1毫秒
t
TXD
> 5
s到2
s
SD
TXD
t
delTxd
≥
1
s
t
delRxd
≥
10纳秒
t
RXD
= 400纳秒
18207
RXD
图1.时序图
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文档编号82534
修订版1.7 ， 05日-12月05
