TFDU5107
威世半导体
电气特性
收发器
T
AMB
= 25 ° C，V
dd1
= 2.4 5.5 V，除非另有说明。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
参数
支持的数据速率， RXD
脉冲持续时间400纳秒
电源电压范围
电源电流接收模式
电源电流关断模式
平均电源电流
1)
,
标准MIR发射模式
I
e
>为100 mW / sr
测试条件
基带， SIR模式
基带， 1.152 Mbit / s的
指定的操作
V
dd1
= 2.4 V至5.5 V
V
dd1
= 2.4 V至5.5 V
V
dd1
= 2.4 V至5.5 V ，
上述V
dd1
= 3.3 V
用于降低串联电阻
内部功耗
应来实现，
例如
L
= 2.7
Ω
V
dd1
I
S
I
SSD
I
S
符号
民
9.6
9.6
2.4
500
0.1
60
典型值。
最大
115.2
1152
5.5
900
1
110
单位
kbit / s的
kbit / s的
V
μA
μA
mA
关机/模式时钟脉冲
长短
关闭延时“接收关”
关机延迟“接收的”
收发器解决'上电'
时间
1)
t
PROG
t
PROG
t
PROG
从V切换时间
dd1
to
建立了指定的操作
0.2
1
40
20
1.5
100
50
μs
ms
μs
μs
最大数据为20％ （25％）工作循环的SIR （MIR 1.152兆比特/秒）的低功率模式。的典型值，给出了的情况下
分布 - 与统计和等于'0 '和' 1 '正常运行。
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文档编号82534
修订版1.7 ， 05日-12月05
