STL50NH3LL
N沟道30 V - 0.011
- 13 A - PowerFLAT （引脚6x5 ）
超低栅极电荷的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STL50NH3LL
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V
DSS
30V
R
DS （ ON）
<0.013
I
D
13A
(4)
改进DIE - TO-足迹比
非常低调包（1毫米为最大）
极低的热阻
栅电荷极低
低阈值设备
PowerFLAT （引脚6x5 ）
应用
■
开关应用
图1 。
内部原理图
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
最新一代的意法半导体独有的
“的STripFET ”技术。由此产生的晶体管
针对低导通电阻和最小优化
栅极电荷。芯片规模PowerFLAT
包允许一个显著的电路板空间节省，
还是提高性能。
表1中。
设备简介
订货编号
STL50NH3LL
记号
L50NH3LL
包
PowerFLAT （引脚6x5 ）
包装
磁带&卷轴
2007年12月
转10
1/12
www.st.com
12
