STL50NH3LL
N沟道30V - 0.011Ω - 13A - PowerFLAT （引脚6x5 ）
超低栅极电荷的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STL50NH3LL
■
■
■
■
■
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
<0.013
I
D
13A
(4)
改进DIE - TO-足迹比
非常低调封装（最大1mm ）
极低的热阻
栅电荷极低
低阈值设备
PowerFLAT （引脚6x5 ）
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
最新一代的意法半导体独有的
“的STripFET ”技术。由此产生的晶体管
针对低导通电阻和最小优化
栅极电荷。芯片规模PowerFLAT
包允许一个显著的电路板空间节省，
还是提高性能。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STL50NH3LL
记号
L50NH3LL
包
PowerFLAT （引脚6x5 ）
包装
磁带&卷轴
2006年9月
第9版
1/12
www.st.com
12
内容：
STL50NH3LL
内容：
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STL50NH3LL
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS(1)
V
GS(2)
I
D(3)
I
D(4)
I
DM(5)
I
D (4)
P
TOT （4）
P
TOT （3）
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
30
± 16
± 18
27
8.1
108
13
4
60
0.03
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
W
W / ℃，
°C
T
J
T
英镑
工作结温
储存温度
1.连续模式
2.为保证测试时间为15ms <
3.该值在额定根据
THJ -C
并且通过引线键合的限制
4.值的额定根据
THJ -PCB
5.脉冲宽度有限的安全工作区
表2中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB （ 1 ）
热阻
参数
热阻结到外壳（漏）
热阻结到环境
价值
2.08
31.3
单位
° C / W
° C / W
1.当安装在FR-4板1inch的， 2盎司铜，叔< 10秒
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩数据
参数
不重复性雪崩电流
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C， n = IAV ， VDD = 24V）
价值
6
800
单位
A
mJ
3/12
电气特性
STL50NH3LL
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6.5A
1
0.011
0.012
0.013
0.015
分钟。
30
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 6.5A
分钟。
典型值。
32
965
285
38
9
3.7
3
12
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 15V ，我
D
= 13A
V
GS
=4.5V
（参见图7 ）
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
门输入电阻
0.5
1.5
2.5
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/12
STL50NH3LL
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15V ，我
D
= 6.5A,
R
G
=4.7, V
GS
=4.5V
（参见图13）
分钟。
典型值。
15
32
18
8.5
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 13A ，V
GS
=0
I
SD
=13A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 20V ， TJ = 150℃
（参见图15）
24
17.4
1.45
测试条件
民
典型值。
最大
13
52
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/12
STL50NH3LL
N沟道30V - 0.011Ω - 13A - PowerFLAT （引脚6x5 ）
超低栅极电荷的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STL50NH3LL
■
■
■
■
■
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
<0.013
I
D
13A
(4)
改进DIE - TO-足迹比
非常低调封装（最大1mm ）
极低的热阻
栅电荷极低
低阈值设备
PowerFLAT （引脚6x5 ）
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
最新一代的意法半导体独有的
“的STripFET ”技术。由此产生的晶体管
针对低导通电阻和最小优化
栅极电荷。芯片规模PowerFLAT
包允许一个显著的电路板空间节省，
还是提高性能。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STL50NH3LL
记号
L50NH3LL
包
PowerFLAT （引脚6x5 ）
包装
磁带&卷轴
2006年3月
第七版
1/12
www.st.com
12
内容：
STL50NH3LL
内容：
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STL50NH3LL
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS(1)
V
GS(2)
I
D(3)
I
D(4)
I
DM(5)
I
D (4)
P
TOT （4）
P
TOT （3）
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
30
± 16
± 18
27
8.1
108
13
4
60
0.03
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
W
W / ℃，
°C
T
J
T
英镑
工作结温
储存温度
1.连续模式
2.为保证测试时间为15ms <
3.该值在额定根据
THJ -C
并且通过引线键合的限制
4.值的额定根据
THJ -PCB
5.脉冲宽度有限的安全工作区
表2中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB （ 1 ）
热阻
参数
热阻结到外壳（漏）
热阻结到环境
价值
2.08
31.3
单位
° C / W
° C / W
1.当安装在FR-4板1inch的， 2盎司铜，叔< 10秒
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩数据
参数
不重复性雪崩电流
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C， n = IAV ， VDD = 24V）
价值
6
800
单位
A
mJ
3/12
电气特性
STL50NH3LL
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
试验性条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6.5A
1
0.011
0.012
0.013
0.015
分钟。
30
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
试验性条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 6.5A
分钟。
典型值。
32
965
285
38
9
3.7
3
12
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 15V ，我
D
= 13A
V
GS
=4.5V
（参见图7 ）
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
门输入电阻
0.5
1.5
2.5
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/12
STL50NH3LL
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
试验性条件
V
DD
= 15V ，我
D
= 6.5A,
R
G
=4.7, V
GS
=4.5V
（参见图13）
分钟。
典型值。
15
32
18
8.5
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 13A ，V
GS
=0
I
SD
=13A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 20V ， TJ = 150℃
（参见图15）
24
17.4
1.45
试验性条件
民
典型值。
最大
13
52
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/12
STL50NH3LL
N沟道30 V - 0.011
- 13 A - PowerFLAT （引脚6x5 ）
超低栅极电荷的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STL50NH3LL
■
■
■
■
■
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
<0.013
I
D
13A
(4)
改进DIE - TO-足迹比
非常低调包（1毫米为最大）
极低的热阻
栅电荷极低
低阈值设备
PowerFLAT （引脚6x5 ）
应用
■
开关应用
图1 。
内部原理图
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
最新一代的意法半导体独有的
“的STripFET ”技术。由此产生的晶体管
针对低导通电阻和最小优化
栅极电荷。芯片规模PowerFLAT
包允许一个显著的电路板空间节省，
还是提高性能。
表1中。
设备简介
订货编号
STL50NH3LL
记号
L50NH3LL
包
PowerFLAT （引脚6x5 ）
包装
磁带&卷轴
2007年12月
转10
1/12
www.st.com
12
内容：
STL50NH3LL
内容：
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STL50NH3LL
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS(1)
V
GS(2)
I
D(3)
I
D(4)
I
DM(5)
I
D (4)
P
TOT （4）
P
TOT （3）
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
30
± 16
± 18
27
8.1
108
13
4
60
0.03
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
W
W / ℃，
°C
T
J
T
英镑
工作结温
储存温度
1.连续模式
2.为保证测试时间为15ms <
3.该值在额定根据
THJ -C
并且通过引线键合的限制
4.值的额定根据
THJ -PCB
5.脉冲宽度有限的安全工作区
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB （ 1 ）
热阻
参数
热阻结到外壳（漏）
热阻结到环境
价值
2.08
31.3
单位
° C / W
° C / W
1.当安装在FR-4板1inch的， 2盎司铜，叔< 10秒
表4 。
符号
I
AV
E
AS
雪崩数据
参数
不重复性雪崩电流
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C， n = IAV ）
价值
7.5
150
单位
A
mJ
3/12
电气特性
STL50NH3LL
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 25 0μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±16 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6. 5A
1
0.011
0.012
0.013
0.015
分钟。
30
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 10 V，I
D
= 6.5 A
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
=0
V
DD
= 15 V，I
D
= 13 A
V
GS
=4.5 V
（参见图8）
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
分钟。
典型值。
32
965
285
38
9
3.7
3
12
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
门输入电阻
0.5
1.5
2.5
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
4/12
STL50NH3LL
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 6.5 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=4.5 V
（参见图14）
分钟。
典型值。
15
32
18
8.5
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 13 A，V
GS
=0
I
SD
=13 A,
的di / dt = 100 A / μs的，
V
DD
= 20 V ， TJ = 150℃
（参见图16）
24
17.4
1.45
测试条件
分钟。
典型值。
最大
13
52
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/12
QQ：2881677436 复制
