LT3740
应用信息
该
ρ
T
术语是归一化因子（统一在25℃下）
占了显着的变化，导通电阻
同的温度，通常为约0.4 ％/℃ ，如图
图1为100 ° C的最高结温，
使用值
ρ
T
= 1.3是合理的。
2.0
V
GS
= 10V
I
D
= 14A
R
DS （ ON）
导通电阻
（归一化）
1.6
MMSZ52312BS
2N7002TA
1.2
100k
SHDN
0.8
3740 F02
电路。一溶液的电路示于
图2齐纳二极管和MOSFET的小极限的
SHDN
电压为6V左右低于V
IN
。这将关闭
LT3740还为V
IN
比7V低。如果V
IN
可以上升到
7V足够快，这种电路是没有必要的。
LT3740
V
IN
BGDP
0.4
图2.电路，以防止操作V
IN
< 7V
0
25 50 75 100 125 150
–50 –25 0
T
J
=结温（ ° C）
3740 F01
图1. MOSFET
DS （ ON）
与温度的关系
对于V
IN
超过14V时，高dv高/ DT在SW节点
BGATE的强劲动力可产生额外的噪声和
影响的动作。电阻R
BG
1Ω ， 2Ω之间
BGATE和底部MOSFET的栅极，如图
图3中可以有效地降低噪音。
LT3740
SW
R
BG
BGATE
M2
门驱动器
顶部栅极驱动电源是由浓淡大约是提供
7.8V比V高
IN
。顶栅电压可高达
为7.8V ，并可以下垂到约5.5V ，如果导通时间长
够了。底部栅极驱动电源被提供
BGDP引脚。 BGDP需要连接到7V或更高
以获得足够的栅极驱动电压为逻辑电平阈值
的MOSFET。 BGDP可以连接到V
IN
， BIAS或
外部电源电压。当输入电压低于
7V ， BGDP应连接到偏置，以便能够使用
逻辑电平阈值的MOSFET。对于V
IN
超过7V ，
BGDP可以连接到V
IN
以降低功率损耗
底栅驱动器。对于高BGDP电压时，内部
钳位电路的底部栅极驱动电压限制到约
8V以防止过压损坏的大门。
供的情况下BGDP连接到V
IN
如果V
IN
电压斜坡
缓慢启动过程中，将有一个相当长的时期
的时间BGDP低于7V和电路工作。
在BGDP的insuf网络cient电压可能会导致故障
保护地
3740 F03
图3.降噪底部MOSFET
LT3740还采用自适应死区时间控制，以防止
顶部和底部的MOSFET同时导通和最小化
死区时间。当信号在内部高端MOSFET
来临的时候， LT3740延迟上TGATE之交，直到
BGATE是关闭的。当对信号的内部底部的MOSFET
来临的时候， LT3740延迟上BGATE之交，直到
SW节点波动降低到地面。在小的情况下
或负电感器电流SW节点不能摆动
TGATE原来在地面以下后关闭， BGATE将开启
TGATE后200ns内关闭。
3740fc
9
