LT3740
应用信息
选择MOSFET感应或感应电阻
LT3740还可以使用下面的MOSFET导通
电阻或外部感测电阻的电流
感应。简单性和高英法fi效率是好处科幻TS
采用底部MOSFET的导通电阻。然而，一些
MOSFET的宽导通电阻变化。随着讨论
先前，在栅极 - 源极电压和温度
还影响导通电阻的MOSFET 。这些因素影响
的电感器的电流限制的精度。电感器
饱和电流将需要足够的余量覆盖
限流的变化。在该情况下，输入的地方
电源电压有苏夫网络cient电流限制，宽电流
控制器的极限变形是可以容忍的。作为
负载增加，达到了输入电源电流限制，
输入电压腐化，并在限制了总功率
电路。
以减少电流限制方案中，更准确地
外部感应电阻可以在底部之间使用
MOSFET的源极与地之间。 SN连接
+
和Sn
–
引脚
到电阻器的两个端子。
功耗
中的MOSFET所产生的功耗为：
P
顶部
= D
顶部
I
L2
R
DS （ ON）
,
顶部
P
BOT
= D
BOT
I
L2
R
DS （ ON）
,
BOT
如果外部感测电阻器所使用的，额外的电源
耗散在感测电阻器是：
P
RS
= D
BOT
I
L2
=卢比
的功率损耗，在下面的MOSFET和外部
感测电阻器的输出短路时最大，
其中，最大电感电流和最大底
占空比发生。
此外，我
2
R电源损耗，也有转换损耗，
门驱动损耗。该转换损耗与提高
输入电压和电感电流主要在
高端MOSFET 。该损耗可以用一个常数来估计
K = 1.7A
–1
如：
过渡损耗= K V
IN2
I
L
C
RSS
F
S
与栅极驱动电源栅极驱动损耗增大
电源电压，栅极电压和栅极电容作为
如下图所示：
P
GD ， TOP
= V
BIAS
C
GS ， TOP
V
GS ， TOP
F
S
P
GD ， BOT
= V
BGDP
C
GS ， BOT
V
GS ， BOT
F
S
占空比限制
在每一个振荡周期开始时，高端MOSFET导通
起飞和底部MOSFET的导通与500ns的责任
周期的顶部MOSFET。如果最大占空比
达，由于落下的输入电压，例如，在
输出电压会跌落出调控。
低纹波电流减小了电感的磁芯损耗，
在输出电容器和输出电压的ESR损耗
纹波。与一个小所获得的最高英法fi效率
纹波电流。然而，实现这一需要大
电感器。有一个权衡组件尺寸之间
和EF网络效率。
一个合理的出发点是要选择纹波电流
也就是约30％的余
输出（最大）
。最大纹波电流
发生在最高V
IN
。为了保证纹波电流
不超过一个特定的编最大时，电感
应根据被选择：
V
OUT
V
OUT
L
=
1–
V
IN （MAX）
F
S
ΔI
L（ MAX）的
3740fc
10
