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VSMF3710
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10000
t
p
/T = 0.005
0.01
0.02
0.05
1.25
Φ
E，相对
- 相对辐射功率
T
AMB
< 60℃
I
F
- 正向电流（mA ）
1000
1.0
0.75
100
0.2
0.5
DC
0.5
10
0.1
0.25
1
0.01
95 9985
0.1
1
10
100
20082
0
800
900
1000
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
λ
-
波长
（纳米）
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
图6.相对辐射功率与波长
1000
I
ê相对
- 相对辐射强度
0°
10°
20°
30°
I
F
- 正向电流（mA ）
100
t
p
= 100
s
t
p
/ T = 0.001
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
10
1
0
18873_1
1
2
3
4
94
8013
V
F
- 前进
电压
(V)
图4.正向电流与正向电压
图7.相对辐射强度对比角位移
100
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
10
t
p
= 100
s
1
0.1
1
18874
10
100
1000
I
F
- 正向脉冲电流（mA ）
图5.辐射强度与正向脉冲电流
文档编号81241
修订版1.5 25 -JAN- 07
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