VSMG3700
威世半导体
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
高速红外发光二极管，符合RoHS
标准， 850纳米， GaAlAs的双异质
10 000
1.25
0.01
Φ
E，相对
- 相对辐射功率
t
p
/T = 0.005
T
AMB
< 60℃
I
F
- 正向电流（mA ）
1000
0.02
0.05
100
0.2
0.5
DC
10
0.1
1.0
0.75
0.5
0.25
0
1
0.01
95 9985
0.1
1
10
100
16972
800
850
900
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
λ-
波长
（纳米）
图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间
图。 6 - 相对辐射功率与波长
1000
I
ê相对
- 相对辐射强度
I
F
- 正向电流（mA ）
0°
10°
20°
30°
- 角位移
100
t
p
= 100
s
t
p
/T = 0.001
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
10
1
0
18873_1
1
2
3
4
94
8013
0.6
0.4
0.2
0
V
F
- 前进
电压
(V)
图。 4 - 正向电流与正向电压
图。 7 - 相对辐射强度对比角位移
100
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
10
t
p
= 100
s
1
0.1
1
18874
10
100
1000
I
F
- 正向脉冲电流（mA ）
图。 5 - 辐射强度与正向电流
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文档编号： 81471
修订版1.2 ， 04 09月08
