VSMG3700
高速红外发光二极管，符合RoHS
标准， 850纳米， GaAlAs的双异质
绝对最大额定值
参数
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
命中率。图8 ，J -STD- 020
J- STD- 051 ，焊接在PCB
测试条件
符号
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
250
单位
°C
°C
°C
°C
K / W
威世半导体
200
180
120
100
80
60
P
V
- 功耗（MW ）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
R
thJA
= 250 K / W
I
F
- 正向电流（mA ）
R
thJA
= 250 K / W
40
20
0
0
10
20 30 40
50 60 70
80
90 100
21339
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
21340
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度COEF网络cient
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
λ
p
上升时间
下降时间
截止频率
虚拟源直径
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
DC
= 70 mA时，我
AC
= 30毫安页
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 1毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
f
f
c
d
6
125
10
100
40
- 0.35
± 60
850
40
0.25
20
13
18
0.44
22
分钟。
典型值。
1.5
2.3
- 1.8
10
马克斯。
1.8
单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
兆赫
mm
文档编号： 81471
修订版1.2 ， 04 09月08
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