恩智浦半导体
BTA312B CT系列和ET
12三象限双向可控硅高换向高温
6.静态特性
表5 。
静态特性
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
I
GT
门极触发
当前
条件
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A;看
图8
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
I
L
闭锁电流V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A;看
图10
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
导通状态
电压
门极触发
电压
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A;看
图11
I
T
= 15 A;看
图9
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A;看
图7
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;牛逼
j
= 150
°C
-
-
-
-
-
-
0.25
-
-
-
-
-
1.3
0.8
-
0.4
50
60
50
35
1.6
1.5
-
2
-
-
-
-
-
-
0.25
-
-
-
-
-
1.3
0.7
-
0.4
25
30
25
15
1.6
1.5
-
2
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
2
2
2
-
-
-
35
35
35
-
-
-
-
-
-
10
10
10
mA
mA
mA
BTA312B-600CT
民
典型值
最大
BTA312B-800ET
民
典型值
最大
单位
截止电流V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 150
°C
BTA312B_SER_CT_ET_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2007年4月11日
6 12
