恩智浦半导体
BTA312B CT系列和ET
12三象限双向可控硅高换向高温
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
BTA312B - 600CT D2PAK
BTA312B-800ET
描述
VERSION
塑料单端表面安装封装（ D2PAK ） ; 3引线（ 1铅SOT404
裁剪）
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态电压
RMS通态电流
通态电流非重复性峰值
条件
BTA312B-600CT
BTA312B-800ET
全正弦波;牛逼
mb
≤
126
°C;
SEE
图4
和
5
全正弦波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;看
图2
和
3
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
[1]
[1]
民
-
-
-
最大
600
800
12
单位
V
V
A
-
-
-
-
-
-
95
105
45
100
2
5
0.5
+150
150
A
A
A
2
s
A / μs的
A
W
W
°C
°C
I
2
吨融合
率通态电流上升
栅极峰值电流
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
结温
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
在任何20毫秒期
-
40
-
尽管不推荐，断开状态电压高达800V，可以在不损坏被应用，但双向可控硅可切换到导通状态。该
电流上升率应不大于15 A / μs的。
BTA312B_SER_CT_ET_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2007年4月11日
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