2SJ506 （L） 2SJ506 （S）
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
200
脉冲测试
160
V
GS
= –4 V
–2 A
–5 A
I
D
= –10 A
100
50
20
10
5
2
1
0.5
–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2
75°C
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–5 –10 –20
–50
TC = -25°C
120
80
–2 A, –5 A
40
–10 V
25°C
–10 A
0
–40
0
40
80
120
160
外壳温度
TC （ ℃）
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
5000
2000
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
体漏二极管的反向
恢复时间
100
反向恢复时间trr （ NS ）
电容C （PF ）
50
1000
500
200
100
50
20
10
0
–10
–20
–30
–40
–50
CRSS
西塞
科斯
20
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
10
–0.1 –0.2
–0.5 –1
–2
–5
–10 –20
反向漏电流
I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
V
DS
(V)
V
GS
(V)
0
V
DD
= –5 V
–10 V
–25 V
0
1000
V
GS
= –10 V, V
DD
= –10 V
PW = 10
s,
税
≤
1 %
500
–10
–4
开关时间t（ NS ）
漏源极电压
栅极至源极电压
200
100
50
20
10
5
–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2
–5 –10 –20
–50
tf
tr
TD （上）
TD （关闭）
–20
V
DS
–30
V
GS
I
D
= –10 A
0
8
16
V
DD
= –25 V
–10 V
–5 V
–8
–12
–40
–16
–50
24
32
–20
40
栅极电荷
QG （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
Rev.5.00 2005年9月7日第4 7
