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2SJ506 (L) 2SJ506 (S)
硅P沟道MOS场效应晶体管
高速电源开关
ADE-208-548
目标指标第一。版
特点
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 0.065
(典型值) 。 (在V
GS
= -10V ,我
D
= –5A)
低驱动电流
高速开关
4V栅极驱动装置。
概要
DPAK–2
4
D
4
1 2
G
3
1 2
S
3
1.门
2.漏
3.源
4.漏
2SJ506 (L) 2SJ506 (S)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
为10μs ,占空比
1 %
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)注1
I
DR
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
–30
±20
–10
–40
–10
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
2
2SJ506 (L) 2SJ506 (S)
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
零门voltege漏
当前
门源漏电流
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
DSS
I
GSS
–30
±20
–1.0
10
典型值
65
110
16
660
440
140
12
65
85
65
–1.05
65
最大
–10
±10
–2.0
85
180
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= -10A ,V
GS
= 0
I
F
= -10A ,V
GS
= 0
DIF / DT = 50A / μs的
测试条件
I
D
= -10mA ,V
GS
= 0
I
G
=
±100A,
V
DS
= 0
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±16V,
V
DS
= 0
I
D
= -1mA ,V
DS
= –10V
I
D
= -5A ,V
GS
= –10V
Note3
I
D
= -5A ,V
GS
= –4V
Note3
I
D
= -5A ,V
DS
= –10V
Note3
V
DS
= –10V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
I
D
= -5A ,R
L
= 2
V
GS
= –10V
门源截止电压V
GS ( OFF )
静态漏源状态R
DS ( ON)
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
反向传输电容的Crss
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
注意:
3.脉冲测试
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
3
2SJ506 (L) 2SJ506 (S)
主要特点
功率与温度降额
最高安全工作区
TA = 25
°C
10
PW
40
P沟(W)的
–500
–200
I
D
(A)
30
–100
–50
–20
–10
–5
–2
–1
–0.5
–0.2
–0.1
s
散热通道
漏电流
20
DC
=1
Op
10
操作
这个区域是
限于由R
DS ( ON)
–0.5 –1
–2
0m
s(
1s
er
ho
(T ATIO
t)
C = N
25
°
C
)
10
0
1 m
s
s
0
50
100
150
TC ( ℃)
200
–0.1 –0.2
–5 –10 –20
–50
外壳温度
漏源极电压
V
DS
(V)
I
D
(A)
I
D
(A)
典型的输出特性
–10 V –8 V
–20
–4.5 V
脉冲测试
–5 V
–6 V
–16
–4 V
–12
典型的传输特性
–20
V
DS
= –10 V
脉冲测试
25
°C
–16
–12
漏电流
漏电流
–3.5 V
–8
–3 V
–4
V
GS
= –2.5 V
0
–4
–8
–12
漏源极电压
–16
–20
V
DS
(V)
–8
–4
75
°C
TC = -25
°C
–1
–2
–3
–4
V
GS
(V)
–5
0
栅极至源极电压
4
2SJ506 (L) 2SJ506 (S)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
–2
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(V)
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1000
500
200
100
50
V
GS
= –4 V
–10 V
–1.6
–1.2
–0.8
I
D
= –10 A
–0.4
–5 A
–2 A
0
–4
–8
–12
–16
V
GS
(V)
–20
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(
)
20
10
–1
–2
–5
–10
脉冲测试
–20
–50 –100
栅极至源极电压
漏电流
I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(
)
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
200
–5 A
脉冲测试
160
V
GS
= –4 V
120
I
D
= –10 A
–2 A
–10 A
–2,–5 A
V
GS
= –10 V
100
50
20
10
5
2
1
正向转移导纳主场迎战
漏电流
TC = -25
°C
25
°C
75
°C
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–5 –10 –20 –50
80
40
0
–40
0
40
80
Tc
120
(°C)
160
0.5
–0.1–0.2 –0.5 –1 –2
外壳温度
漏电流I
D
(A)
5
2SJ506 (L) 2SJ506 (S)
硅P沟道MOS场效应晶体管
REJ03G0873-0500
(上一个: ADE- 208-548C )
Rev.5.00
2005年9月7日
描述
高速电源开关
特点
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 0.065
(典型值) 。 (在V
GS
= -10 V,I
D
= –5 A)
低驱动电流
高速开关
4 V栅极驱动装置。
概要
瑞萨封装代码: PRSS0004ZD -B
(包名称: DPAK ( L) - ( 2 ) )
4
4
D
瑞萨封装代码: PRSS0004ZD -C
(包名称: DPAK ( S) )
1
2
G
3
1.门
2.漏
3.源
4.漏
1
2
3
S
Rev.5.00 2005年9月7日第1页7
2SJ506 (L) 2SJ506 (S)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
I
DR
注1
价值
–30
±20
–10
–40
–10
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
PCH
总胆固醇
注2
TSTG
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
栅源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复时间
注意:
3.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
DSS
I
GSS
V
GS (关闭)
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
–30
±20
–1.0
10
典型值
65
110
16
660
440
140
12
65
85
65
–1.05
65
最大
–10
±10
–2.0
85
180
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= -10毫安,V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
I
D
= -1毫安,V
DS
= –10 V
I
D
= -5 A ,V
GS
= –10 V
注3
I
D
= -5 A ,V
GS
= –4 V
I
D
= -5 A ,V
DS
= –10 V
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
GS
= –10 V
I
D
= –5 A
R
L
= 2
I
F
= -10 A,V
GS
= 0
I
F
= -10 A,V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
注3
注3
Rev.5.00 2005年9月7日第2 7
2SJ506 (L) 2SJ506 (S)
主要特点
功率与温度降额
40
–500
–200
–100
–50
–20
–10
–5
–2
–1
–0.5
PW
最高安全工作区
P沟(W)的
I
D
(A)
30
10
10
0
1 m
s
s
s
散热通道
漏电流
20
DC
10
操作
这个区域是
限于由R
DS ( ON)
=1
0m
Op
s(
ERA
1s
TIO
ho
n(
t)
Tc
=2
5°C
)
0
0
50
100
150
200
-0.2 TA = 25℃
–0.1
–0.1–0.2 –0.5 –1 –2
–5 –10 –20
–50
外壳温度
TC ( ℃)
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
–20
–10 V
–8 V
–6 V
–5 V
–4.5 V
脉冲测试
–20
典型的传输特性
V
DS
= –10 V
脉冲测试
I
D
(A)
–16
I
D
(A)
漏电流
–4 V
–16
–12
–12
–3.5 V
漏电流
–8
–3 V
–4
V
GS
= –2.5 V
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
–8
–4
75°C
25°C
TC = -25°C
–3
–4
–5
0
0
–1
–2
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压V
DS ( ON)
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
–2.0
脉冲测试
–1.6
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
()
1000
500
–1.2
200
100
50
V
GS
= –4 V
–0.8
I
D
= –10 A
–5 A
–2 A
–10 V
–0.4
20
脉冲测试
10
–1
–2
–5
–10
–20
–50 –100
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.5.00 2005年9月7日第3页7
2SJ506 (L) 2SJ506 (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | ( S)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
()
200
脉冲测试
160
V
GS
= –4 V
–2 A
–5 A
I
D
= –10 A
100
50
20
10
5
2
1
0.5
–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2
75°C
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–5 –10 –20
–50
TC = -25°C
120
80
–2 A, –5 A
40
–10 V
25°C
–10 A
0
–40
0
40
80
120
160
外壳温度
TC ( ℃)
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
5000
2000
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
体漏二极管的反向
恢复时间
100
反向恢复时间trr ( NS )
电容C (PF )
50
1000
500
200
100
50
20
10
0
–10
–20
–30
–40
–50
CRSS
西塞
科斯
20
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 , TA = 25℃
10
–0.1 –0.2
–0.5 –1
–2
–5
–10 –20
反向漏电流
I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
V
DS
(V)
V
GS
(V)
0
V
DD
= –5 V
–10 V
–25 V
0
1000
V
GS
= –10 V, V
DD
= –10 V
PW = 10
s,
1 %
500
–10
–4
开关时间t( NS )
漏源极电压
栅极至源极电压
200
100
50
20
10
5
–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2
–5 –10 –20
–50
tf
tr
TD (上)
TD (关闭)
–20
V
DS
–30
V
GS
I
D
= –10 A
0
8
16
V
DD
= –25 V
–10 V
–5 V
–8
–12
–40
–16
–50
24
32
–20
40
栅极电荷
QG ( NC )
漏电流
I
D
(A)
Rev.5.00 2005年9月7日第4 7
2SJ506 (L) 2SJ506 (S)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–20
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
–16
10 V
–12
5 V
–8
V
GS
= 0, 5 V
–4
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒( t)的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
θch
- C (T ) =
γ
S( T)
θch
– c
θch
- C = 6.25 ° C / W ,TC = 25°C
P
DM
ULS
e
D=
PW
T
0.03
0.0
1
PW
T
1s
h
p
ot
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW (S )
开关时间测试电路
VIN
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VOUT
MONITOR
10%
波形
90%
90%
90%
VIN
–10 V
50
V
DD
= –10 V
VOUT
TD (上)
10%
tr
TD (关闭)
10%
tf
Rev.5.00 2005年9月7日第5 7
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    2SJ506
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人:李林
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2SJ506
HITACHI
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15862
SOT-25..
全新原装现货热卖
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联系人:陈泽强
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2SJ506
SEMTCH
2443+
23000
TO-252
一级代理专营,原装现货,价格优势
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联系人:朱
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联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
2SJ506
13+
18500
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全新原装正品,大量现货库存供应
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联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
2SJ506
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21+22+
62710
SOT-252
原装正品
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联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
2SJ506
SEMTCH
24+
21000
TO-252
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SJ506
HIT
2024
20918
TO252
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SJ506
雷达
2024
66730
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