2SJ506 (L) 2SJ506 (S)
硅P沟道MOS场效应晶体管
REJ03G0873-0500
(上一个: ADE- 208-548C )
Rev.5.00
2005年9月7日
描述
高速电源开关
特点
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 0.065
(典型值) 。 (在V
GS
= -10 V,I
D
= –5 A)
低驱动电流
高速开关
4 V栅极驱动装置。
概要
瑞萨封装代码: PRSS0004ZD -B
(包名称: DPAK ( L) - ( 2 ) )
4
4
D
瑞萨封装代码: PRSS0004ZD -C
(包名称: DPAK ( S) )
1
2
G
3
1.门
2.漏
3.源
4.漏
1
2
3
S
Rev.5.00 2005年9月7日第1页7
2SJ506 (L) 2SJ506 (S)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–20
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
–16
–
10 V
–12
–
5 V
–8
V
GS
= 0, 5 V
–4
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒( t)的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
θch
- C (T ) =
γ
S( T)
θch
– c
θch
- C = 6.25 ° C / W ,TC = 25°C
P
DM
ULS
e
D=
PW
T
0.03
0.0
1
PW
T
1s
h
p
ot
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW (S )
开关时间测试电路
VIN
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VOUT
MONITOR
10%
波形
90%
90%
90%
VIN
–10 V
50
V
DD
= –10 V
VOUT
TD (上)
10%
tr
TD (关闭)
10%
tf
Rev.5.00 2005年9月7日第5 7