2SJ506 （L） 2SJ506 （S）
硅P沟道MOS场效应晶体管
REJ03G0873-0500
（上一个： ADE- 208-548C ）
Rev.5.00
2005年9月7日
描述
高速电源开关
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.065
（典型值） 。 （在V
GS
= -10 V，I
D
= –5 A)
低驱动电流
高速开关
4 V栅极驱动装置。
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -B
（包名称： DPAK （ L） - （ 2 ） ）
4
4
D
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -C
（包名称： DPAK （ S） ）
1
2
G
3
1.门
2.漏
3.源
4.漏
1
2
3
S
Rev.5.00 2005年9月7日第1页7
