高速超低功率SRAM
8K字由8位
WS6264
（ TA =
0 70℃ ， VCC = 5.0V ）
)
o
o
数据保持特性
名字
V
DR
参数
V
CC
数据保留
测试条件
/CE1
≧
V
CC
-0.2V,
V
IN
≧
V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
/CE1≧V
CC
-0.2V, V
IN
≧
最小值典型值
(1)
最大
2.0
单位
V
I
CCDR
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
请参阅
保留波形
0
t
RC
(2)
0.5
5
uA
T
CDR
t
R
1.
TA = 25℃
o
ns
ns
2.
t
RC = 。
读周期时间
VCC低于数据保存波形图（ 1 ） （ / CE1控制）
V
CC
t
CDR
V
IH
数据保持方式
V
DR
＆ GT ; 2.0V
t
R
V
IH
CE1
CE1 > V
CC
- 0.2V
1.0版
6
