高速超低功率SRAM
8K字由8位
WS6264
引脚说明
名字
A0 – A12
TYPE
输入
功能
地址输入，用于在RAM中选择8192 ×8位的字中的一个
/ CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使必须
/CE1,CE2
输入
当从或读出的数据写入到该设备处于活动状态。如果任何一个芯片使能不
活性，取消选择器件和在备用电源关断模式。在DQ
引脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
写使能输入为低电平有效。 IT控制读取和写入操作。
/ WE
输入
与选择的芯片中，当/ WE为高电平和/ OE为低电平时，输出数据将
存在于DQ管脚，当/ WE为低电平时，数据到DQ本
销将被写入到所选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能有效而
/ OE
输入
芯片选择和写允许处于非活动状态，数据将存在于
DQ引脚，它们将被激活。 DQ管脚将在高阻抗
状态时， / OE是无效的。
DQ0~DQ7
VCC
GND
NC
I / O
动力
动力
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入
内存。
电源
地
无连接
真值表
模式
待机
产量
关闭
读
写
/CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
/ WE
X
X
H
H
L
/ OE
X
X
H
L
X
DQ0~7
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
1.0版
3
