ISL6140 ， ISL6150
浪涌电流
在图26的例子中，电源电压为48V
和负载电阻（RL ）是620Ω ，对于周围80毫安。
负载电容为100μF （ 100V ） 。感
电阻器（R
1
）为2.5A 0.02Ω （跳变点，远高于
此处所述的浪涌电流） 。
需要注意的是，负载电流从0开始（ FET关断） ;到达
850毫安的峰值作为栅极电压斜坡和
开启FET慢，然后沉淀出来的80毫安，
一旦CL完全充电到48V 。的宽度
浪涌电流脉冲为8ms宽。为了进行比较，
用相同的条件下，但没有
栅控场效应晶体管，所述电流超过20A，在一
130μs的脉冲。
OV = 54V
V
DD
V
DD
= 60V
UV = 38V
关闭
13V
ON
门
关闭
负载
负载
当前
当前
图27.电源上升
过电流2.3A
在图28中，一个电子负载生成器被用来
坡道负载电流;无负载电阻器或电容器
已连接。感电阻R
1
为0.02Ω ;那
应该标称过流跳闸点2.5A 。
48V
48V
门
门
PWRGD -BAR
PWRGD -BAR
图26.浪涌电流
门高（钳位到13V左右） ，保持
在FET上，作为电流开始从零斜坡上升;
在GATE开始变为低电平（关断FET）的时
负载电流击中2.3A 。注意，只需要44μs
对于门关断场效应晶体管（当负载电流
等于零） 。
请记住，检测电阻的容差
（这里是1 ％）和IC过电流跳闸电压（V
CB
)
影响行程点的精度;这就是为什么行程
点并不一定等于2.5A的设计目标。
2.3A
2.3 A
电源斜坡
图27示出了电源电压（在V
DD
销，相对于GND在V
EE
销）不断上升。在
这种情况下，所选择的值分别为
4
= 562k;
R5 = 5.9k ;
6
= 13.3k ;那台UV跳变点
38V左右，和OV跳变点为54V 。需要注意的是
门开始于0V，并保持在那里，直到紫外线旅
点（ 38V ）超标;那么斜（慢，基于
选择的外部组件）到13V左右，
其中，它被夹持;它保持在那里，直到电源
供大于求在54V的OV跳变点（栅
关断比的导通）要快得多。总
时间尺度为2秒;在V
DD
斜坡速度
简单地基于所述固有特性
特别是电源使用。
负载电流
负载电流
R1
= 0.02哦
R1
= 0.02Ω
Ω
48V
上不封顶
48V
上不封顶
门
门
图28.过电流2.3A
16
FN9039.4
