硬件设计注意事项
3.3.2
外围电源
外设包括DDR内存控制器， DMA控制器， HDI16 ， TDM ， UART ，定时器， GPIO以及对我
2
C模块中。
基本的电力消耗由每个模块被假设为相同的，并通过使用以下等式来计算其
假定为20 pF的， 1.2V的核心电压摆动的有效载荷，和100MHz的开关频率。该收益率：
P
外设
= 20 pF的
×
(1.2 V)
2
×
150兆赫
×
10
–3
= 4.32元外围毫瓦
等式。 6
通过在应用程序中用于计算总周边功耗的外设数目乘以该值。
3.3.3
外部存储器电源
功耗由DDR存储器系统估计是复杂的。它变化的基础上的整体系统信号线使用，
终止和负载电平，以及切换速率。由于DDR内存包括外部的MSC7118终端
装置中， 2.5伏的电源提供给所述终端，这是每个信号16毫安驱动为高的静态值的功率。
然而动态功率被计算，使用的± 0.200伏的差分电压摆动，得到0.4的峰 - 峰摆幅
五，方程计算DDR功率为：
P
DDRIO
= P
STATIC
+ P
动态
P
STATIC
= （未使用的引脚
×
％驱动为高电平）
×
16毫安
×
2.5 V
P
动态
= （销活性值）
×
20 pF的
×
(0.4 V)
2
×
300兆赫
×
10
–3
mW
销活动的价值= （有效数据线
×
％活动
×
％的数据交换）+（活性地址线
×
活性％）
作为一个例子，假定：
未使用的引脚= 16 （ DDR采用16引脚模式）
％，带动高= 50 ％
活动数据线= 16
活性％ = 60％的
％的数据交换= 50％
活动地址线= 3
在这个例子中，在DDR存储器的功耗为：
P
DDRIO
= ((16
×
0.5)
×
16
×
2.5) + (((16
×
0.6
×
0.5) + (3
×
0.6))
×
20
×
(0.4)
2
×
300
×
10
–3
） = 326.3毫瓦
等式。 11
等式。 7
等式。 8
等式。 9
等式。 10
3.3.4
外部I / O电源
在I / O电源的估计是类似于外围功率估计的计算。每消耗电力
信号线进行计算的假设为20pF ， 3.3伏的电压摇摆的最大负载，和25兆赫的开关频率，
其中收益率：
P
IO
= 20 pF的
×
(3.3 V)
2
×
25 MHZ
×
10
–3
= 5.44每个I / O线毫瓦
通过在应用程序设计用于计算总的I / O电源I / O信号线的数量乘以这个数。
注意：
信号加载依赖于电路板布线。对于使用单个DDR器件的系统中，负载可以是低至
7 pF的。
等式。 12
3.3.5
防漏电
泄漏功率是对于所有电源组合在特定的温度。的值是依赖于温度的。该
在室温下观察到的泄漏值是64毫瓦。
MSC7118低成本的16位DSP与DDR控制器数据手册，第7
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飞思卡尔半导体公司
