CY14B108K ， CY14B108M
数据保护
该CY14B108K / CY14B108M保护数据损坏
在低电压条件下抑制所有外部发起
STORE和写入操作。在低电压的条件是
当检测到V
CC
小于V
开关
。如果
CY14B108K / CY14B108M处于写模式（包括CE和WE
是LOW）在上电时，召回或存储后，写操作
抑制直至SRAM为T启用后，
LZHSB
（ HSB输出
活性） 。这可以防止上电时意外写入
或欠压条件。
■
开机启动固件程序应该重写的nvSRAM
成所需的状态（例如，自动存储使能）。而
该NVSRAM出厂时的预设状态下，最好的做法是
再次改写成的nvSRAM为保障所需的状态
针对可能翻转位不慎，如事件
程序中的错误和进货检验程序。
在V
帽
本数据表中指定的值包括最小
和的最大值的大小。最好的做法是符合这个
要求和不超过最大V
帽
因为价值
该NVSRAM内部算法计算出V
帽
充
放电基于该最大V时
帽
值。客户
希望使用更大的V
帽
值，以确保没有多余的
存储电荷和存储时间应讨论其V
帽
SIZE
选择与赛普拉斯理解上的V产生任何影响
帽
在一吨的终止电压等级
召回
期。
■
噪声考虑
请参阅CY应用笔记
AN1064.
最佳实践
的nvSRAM产品得到了有效的超过15年使用。
而易用性是该产品的主要价值体系之一，
所获得的经验正在与数百个应用程序有
导致了以下建议作为最佳做法：
■
是非易失性的细胞在此的nvSRAM产品交付
柏树用0x00写入所有的细胞。来料检验
程序在客户或合同制造商的网站
有时重新编程这些值。最后NV图案
通常重复AA ， 55 ， 00 ， FF ，A5或5A的图案。结束
产品的固件不应该承担NV数组是一组
编程状态。该检查内存内容程序
值，以确定第一时间的系统配置，寒冷或
热启动状态，等要经常程序的唯一
NV模式（即，复杂的4个字节的46 E6 49 53 （十六进制）图案
或多个随机字节）作为最终的系统制造的一部分
图灵测试，以确保这些系统的工作程序一致。
文件编号： 001-47378修订版* B
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