CY14B108K ， CY14B108M
在V
帽
引脚被驱动到V
CC
通过在芯片上的调节器。上拉
最高应放在WE举行期间，上电就无效。
这拉的是，如果WE信号为三态时唯一有效
上电。许多主控板三态上电时的控制。确认
这在使用上拉了起来。当的nvSRAM出来的
电源接通召回时，MPU必须处于活动状态或在WE保持无效
直到MPU脱离复位状态。
为了减少不必要的非易失性存储，自动存储，并
五金店操作被忽略，除非至少有一个
自从最近商店的写操作已经发生或
RECALL周期。启动软件商店周期执行
不管写操作是否已经发生。该
HSB信号是由系统监控，如果一个自动存储到检测
周期正在进行中。
因为一个序列的读和写来自特定地址的使用
对于STORE开始，就没有其他的读或写是很重要的
存取介入的顺序，或者序列被中止
没有存储或调用发生。
要启动的软件商店周期，下面读
序列必须执行：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x8FC0启动STORE周期
该软件程序的时钟可以与CE读取控制
或OE控制读取，与我们一直HIGH所有六个读
序列。该序列中的第六个地址输入后，
在STORE周期开始和芯片被禁用。 HSB是
驱动为低电平。之后的T
商店
周期时间满足， SRAM是
用于读取和写入操作再次启动。
五金店（ HSB ）操作
该CY14B108K / CY14B108M提供了HSB引脚来控制
并确认存储操作。 HSB的引脚用于
请求五金店周期。当HSB引脚驱动
低，中CY14B108K / CY14B108M有条件启动
吨后STORE操作
延迟
。实际STORE周期开始
只有在写入SRAM自上次STORE已经发生
或者RECALL周期。在HSB引脚还充当开漏驱动器
在内部驱动到低电平，表示处于忙碌状态时，
的存储（通过任何方式发起）正在进行中。
SRAM写操作正在进行中时， HSB驱动
低以任何方式给出时间（t
延迟
）前完成
启动存储操作。但是，任何的SRAM写
HSB要求后周期变低被禁止，直到HSB
返回高电平。的情况下的写锁存器未被设置， HSB不被驱动
LOW由CY14B108K / CY14B108M 。但是，任何SRAM读取和
写周期被禁止，直到HSB由MPU返回高电平或
其他外部来源。
在任何商店的操作，不管它是如何发起的，
该CY14B108K / CY14B108M继续驱动HSB销
低，释放它，只有当实体店完成。上
竣工
of
该
商店
操作时，
该
CY14B108K / CY14B108M仍然禁止，直到HSB引脚
返回高电平。离开HSB未连接，如果它不被使用。
软件RECALL
数据从非易失性存储器通过转移到SRAM
一个软件地址序列。软件RECALL周期
与读取操作中类似的方式顺序启动
对软件商店开始。要启动RECALL周期，
执行CE或OE控制阅读下列顺序
操作：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x4C63启动RECALL周期
在内部，召回是一个两步的过程。首先， SRAM数据
被清除;然后，非易失性信息被传输至电
SRAM单元。之后的T
召回
周期时， SRAM再次是
准备读取和写入操作。调用操作
不改变在非易失性元件的数据。
硬件RECALL （上电）
在上电期间或之后的任何低功率条件
(V
CC
＆ LT ; V
开关
） ，一个内部调出请求被锁定。当
V
CC
再次超过V
开关
上电时，召回周期
会自动启动，并采取吨
HRECALL
来完成。中
这个时候， HSB引脚由HSB驾驶员和所有驱动为低电平
读取和写入的nvSRAM被禁止。
软件商店
数据被从SRAM由传送到非易失性存储器
一个软件地址序列。该CY14B108K / CY14B108M
软件商店周期由执行顺序CE或启动
OE控制的读周期从六个具体地址位置
确切顺序。在商店周期，先前的擦除
首先，进行非易失性数据，随后的一个节目
非易失性元件。之后启动了STORE周期，进一步
输入和输出被禁止，直到周期结束。
文件编号： 001-47378修订版* B
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