M32C / 87群（ M32C / 87 ， M32C / 87A ， M32C / 87B ）
5.电气特性
内存扩展模式和微处理器模式
（访问外部存储器空间时）
读时序（ 1
φ
+ 1
φ
总线周期）
BCLK
TD （ BCLK -CS ）
18ns.max
(1)
VCC1=VCC2=3.3V
日（ BCLK -CS ）
-3ns.min
CSI
TCYC
TD （ BCLK -AD ）
18ns.max
(1)
日（ RD- CS ）
0ns.min
日（ BCLK -AD ）
-3ns.min
ADI
BHE
TD （ BCLK -RD ）
18ns.max
日（ RD -AD ）
0ns.min
RD
tac1(RD-DB)
(2)
tac1(AD-DB)
(2)
日（ BCLK -RD ）
-5ns.min
DBI
高阻
TSU （ DB- BCLK ）
30ns.min
(1)
注意事项：
1.保证值，只有当MCU采用独立。
最多35 ns的是保证TD （ BCLK -AD ） + TSU （ DB - BCLK ） 。
2.随工作频率：
TAC1 （ RD - DB ） = （ TCYC / 2 XM - 35 ） ns.max （如果外部总线周期
φ
+ b
φ
时，m = （二×2） + 1）的
TAC1 （ AD- DB ） = （ TCYC XN - 35 ） ns.max （如果外部总线周期
φ
+ b
φ
中，n =一+ b）的
日（ RD -DB ）
0ns.min
写时序（ 1
φ
+ 1
φ
总线周期）
BCLK
TD （ BCLK -CS ）
18ns.max
日（ BCLK -CS ）
-3ns.min
CSI
TCYC
TD （ BCLK -AD ）
18ns.max
日（ WR- CS ）
(3)
日（ BCLK -AD ）
-3ns.min
ADI
BHE
TD （ BCLK - WR ）
18ns.max
总重量（ WR ）
(3)
日（ WR -AD ）
(3)
WR ， WRL ， WRH
日（ BCLK - WR ）
0ns.min
TD （ DB- WR ）
(3)
日（ WR -DB ）
(3)
DBI
注意事项：
测定条件：
3.随工作频率：
- VCC1 = VCC2 = 3.0 3.6 V
TD （ DB - WR ） = （ TCYC X米 - 20 ） ns.min
- 输入高低压： VIH = 1.5 V， VIL = 0.5 V
（如果外部总线周期
φ
+ b
φ
时，m =二）
- 输出高，低电压VOH = 1.5 V， VOL = 1.5 V
日（ WR - DB ） = （ TCYC / 2 - 20 ） ns.min
日（ WR -AD ） = （ TCYC / 2 - 15 ） ns.min
日（ WR - CS ） = （ TCYC / 2 - 10 ） ns.min
10
9
总重量（ WR ） = （ TCYC / 2× N - 15 ） ns.min
TCYC =
（如果外部总线周期
φ
+ b
φ
1 ） - ， - N = （B ×2）
F（ BCLK ）
图5.9
VCC1 = VCC2 = 3.3 V时序图（ 3/4 ）
REJ03B0127-0151 Rev.1.51 2008年7月31日
第82页85
