H5N3008P
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.20
0.16
20 A
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | （ S）
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.1
75°C
25°C
TC =
25°C
V
GS
= 10 V
脉冲测试
0.12
0.08
I
D
= 40 A
10 A
0.04
0
25
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
25
50
75 100 125 150
0.3
1
3
10
30
100
壳温度（ ° C）
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
100000
30000
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
西塞
体漏二极管的反向
恢复时间
1000
反向恢复时间trr （ NS ）
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
3
10
30
100
300
1000
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
电容C （PF ）
10000
3000
1000
300
100
30
10
0
50
100
科斯
CRSS
150
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
400
I
D
= 40 A
V
DD
= 240 V
100 V
50 V
V
GS
开关特性
16
10000
V
GS
= 10 V, V
DD
= 150 V
PW = 5
s,
税
≤
1 %
R
G
= 10
300
V
DS
12
开关时间t（ NS ）
1000
tf
TD （关闭）
tr
tf
200
8
100
TD （上）
tr
100
V
DD
= 240 V
100 V
50 V
4
0
0
40
80
120
160
200
10
0.1
0.3
1
3
10
30
100
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.3.00 2006年10月16日第4 6
