H5N3008P
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G0539-0300
Rev.3.00
2006年10月16日
特点
低导通电阻
低漏电流
高速开关
内置的快速恢复二极管
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZE -A
（包名称： TO- 3P ）
D
G
1.门
2.漏（法兰）
3.源
S
1
2
3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
≤
150°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
APNote3
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
300
±30
40
160
40
30
150
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
Rev.3.00 2006年10月16日第1页6
