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H5RS5223CFR
术语的Apendix B定义
下文中定义的GDDR3 SDRAM规范中使用的术语。
虽然GDDR3可能在ODT禁止模式下操作，所以不推荐和说明书描述了ODT使能
工作模式。应的系统被设计为工作在ODT禁止模式的GDDR3 ，系统应该理解的效果
该说明书和自己的设计之间的差异。
如果它表示一个总线是在以下状态之一，它应该如所描述进行解释。
以下是ODT使能模式定义了三个术语。
- 高{终止} ：总线上的驱动程序驱动总线。总线上的一个或多个终端（ODT ）是导通的。
总线的电压电平将是名义上的VDDQ 。
- HI-Z {终止} ：总线上没有驱动程序驱动总线。总线上的一个或多个终端（ODT ）是导通的。
总线的电压电平将是名义上的VDDQ 。
- 低{终止} ：总线上的驱动程序驱动总线。总线上的一个或多个终端（ODT ）是导通的。
总线的电压电平将是名义上的VOL （DC）。
相应的术语为ODT禁止模式定义如下。
如之前所提到的， ODT禁止模式是不操作的预期模式。然而，在那里有ODT使能存在的情况下
模式不能保证为很短的时间周期，例如在上电时，但确实操作的预期模式。
- 高{未终结} ：总线上的驱动程序驱动总线。无终止总线上是有效的。
总线的电压电平将是名义上的VDDQ 。
- HI-Z {未结束} ：总线上没有驱动程序驱动总线。无终止总线上是有效的。
总线的电压电平将是不确定的，因为总线将浮动。
- 低{未终结} ：总线上的驱动程序驱动总线。无终止总线上是有效的。
总线的电压电平将是名义上VSSQ 。
Rev.1.5 / 2008年7月
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