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ADRF6603
引脚配置和功能描述
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
DECLVCO
VTUNE
垂耳
LON
LODRV_EN
GND
VCC_LO
NC
NC
GND
VCC1 1
DECL3P3 2
CP 3
GND 4
R
SET
5
REF_IN 6
7 GND
MUXOUT 8
DECL2P5 9
VCC2 10
销1
指标
ADRF6603
顶视图
(不按比例)
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
IP3SET
GND
VCC_V2I
RF
IN
GND
GND
GND
Vcc_Mix
GND
图3.引脚配置
表7.引脚功能描述
PIN号
1
2
3
4, 7, 11, 15, 20,
21, 23, 24, 25,
28, 30, 31, 35
5
助记符
VCC1
DECL3P3
CP
GND
描述
电源为3.3 V LDO 。电源电压范围为4.75 V至5.25 V的每个电源引脚
去耦用一个100pF的电容和一个0.1 μF的电容靠近引脚。
去耦节点为3.3 V LDO 。连接该引脚与地之间连接一个0.1μF的电容。
电荷泵输出引脚。连接到VTUNE通过环路滤波器。
地面上。这些引脚连接到低阻抗接地层。
R
SET
电荷泵电流。标称电荷泵电流可以被设置为250微安, 500微安, 750微安,或使用1毫安
位DB11和DB10位寄存器4和DB18位设置为0 (内部参考电流) 。在这种模式下,
没有外部R
SET
是必须的。如果位DB18设置为1时,四个标称电荷泵电流(I
公称
)可
外,根据下面的方程进行调整:
217.4
×
I
CP
R
SET
=
I
公称
6
8
9
10
12
13
14
16
REF_IN
MUXOUT
DECL2P5
VCC2
数据
CLK
LE
PLL_EN
37.8
Ω
17, 34
18, 19
22
26
VCC_LO
IFP ,IFN
Vcc_Mix
RF
IN
参考输入。额定输入电平为1 V P-P 。输入电压范围为12 MHz至160 MHz范围内。
多路输出。这个输出可以被编程,以提供参考输出信号或所述锁定检测
信号。输出选择通过对相应的寄存器中。
去耦节点为2.5 V LDO 。连接该引脚与地之间连接一个0.1μF的电容。
电源为2.5 V LDO 。电源电压范围为4.75 V至5.25 V的每个电源引脚
去耦用一个100pF的电容和一个0.1 μF的电容靠近引脚。
串行数据输入。串行数据输入首先被装载MSB ;三个LSB是控制位。
串行时钟输入。串行时钟输入用于时钟的串行数据到寄存器。该数据被锁存
成24位的移位寄存器,在CLK的上升沿。最大时钟频率为20MHz 。
负载启用。当LE的输入引脚变为高电平时,存储在移位寄存器中的数据被加载到所述一个
八个寄存器。相关的锁存被选中的24位字的三个控制位。
PLL使能。内部PLL与外部LO输入之间切换。当该引脚为逻辑高电平时,混频器LO是
自动地切换到内部PLL和内部PLL被加电。当该引脚为逻辑低电平时,
内部PLL掉电和外部LO输入被路由到混频器的LO输入。该SPI也可以
用于切换模式。
电源。电源电压范围为4.75 V至5.25 V每个电源引脚的去耦
有100 pF的电容和一个0.1 μF的电容靠近引脚。
混频器中频输出。这些输出应拉至VCC与RF扼流圈。
电源。电源电压范围为4.75 V至5.25 V每个电源引脚的去耦
有100 pF的电容和一个0.1 μF的电容靠近引脚。
RF输入(单端, 50 Ω ) 。
第0版|第24 7
08547-003
笔记
1. NC =无连接。
2.将裸露焊盘应焊接到
低阻抗接地层。
GND
数据
CLK
LE
GND
PLL_EN
VCC_LO
IFP
干扰素
GND
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20

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