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A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
任何其他地址/数据写入组合将中止写入缓冲区编程
明操作。那么该设备将“走出去忙。 ”数据栏轮询技术
应使用在监视
最后地址位置装入
写缓冲器。
这消除了需要存储一个地址的存储器，因为
该系统可以将最后一个地址位置，发出确认程序的COM
在命令的最后一个加载的地址位置，并以相同的数据，然后调查吧
地址。 DQ7 ， DQ6 ， DQ5 ， DQ2和DQ1应进行监测，以确定
写缓冲区编程过程中的设备状态。
写缓存“嵌入”编程操作可使用暂停
标准的暂停/恢复命令。在成功完成
写缓冲区编程操作时，设备将返回到读取模式。
写缓冲区编程序列在以下任一ABORTED
条件：
期间的“号码加载值，该值大于页缓冲区大小
地点计划“的一步。
写入到一个地址中比在指定的不同的扇区
“写缓冲区加载”命令。
写地址/数据对到不同的写缓冲页比1 SE-
在“写缓存数据加载”期间lected的“起始地址”的阶段
的操作。
写的指定次数后数据比“确认命令”等
“数据加载”循环。
该中止条件由DQ1 = 1表示， DQ7 =数据＃ （对于“最后AD-
连衣裙的位置装“ ） ， DQ6 =摇头， DQ5 = 0。这表明写
缓冲区编程操作被中止。 “写至缓冲区中止复位”
使用写缓冲区编程时为特色的命令序列是必需的
则按解锁旁路模式。注意， SecSI
TM
部门，自动选择和CFI
功能不可用时，在编程操作正在进行中。
写缓冲区编程允许在内存（或地址）的任何序列某一地址
阳离子。这些闪存设备能够处理多个写入缓冲区
编程在同一个写入缓冲区的地址范围的操作间无
vening删除。然而，编程同一个词处理多次
没有插入擦除要求的改性的编程方法。请CON组
请与您当地的Spansion公司
TM
代表了解详情。
使用写缓冲区，强烈建议编程时多
词语将被编程。写缓冲区编程是大约8
时间比一次编程一个字快。
自选模式
自选模式提供了制造商和设备标识和部门
保护验证，通过从内部寄存器输出识别码
（从存储器阵列分开）上DQ15 - DQ0 。此模式是主要IN-
倾向于用于编程设备来自动匹配的设备是
编程有其相应的编程算法。自选
代码还可以在系统访问。
验证扇区保护时，扇区地址必须出现在了合
priate最高地址位（见
表12）。
剩下的地址位是
不在乎。当所有必要的位已经被设置为需要时，编程
那么设备可以读取相应的识别码在DQ15 - DQ0 。该
自动选择代码也可在系统内通过命令寄存器来访问。
在命令序列中示出的"Command
定义Summary"
节
28
S29WSxxxN的MirrorBit 闪存家庭对于多芯片产品（ MCP ）
2004年S71WS512NE0BFWZZ_00_ A1 6月28日，
