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P L I M I N A R
绝对最大额定值（见下面的警告）。
参数
V的电压
DD
供应相对于V
SS
V的电压
DDQ
供应相对于V
SS
电压的任何引脚相对于V
SS
短路输出电流
储存温度
符号
V
DD
V
DDQ
V
IN
, V
OUT
I
OUT
T
英镑
价值
-0.5到+3.6
-0.5到+2.6
-0.5到+2.6
+50
-55到+125
单位
V
V
V
mA
o
C
警告：
在半导体器件上的应用应力（电压，电流可能会损坏，
温度等）超过绝对最大额定值。不要超过这些额定值。
推荐工作条件（见下面的警告）。
（参考V
SS
)
参数
电源电压
DQ电源电压
地
高电平输入电压
低电平输入电压
环境温度
*1
*2
笔记
符号
V
DD
V
DDQ
V
SS
V
IH
V
IL
T
A
分钟。
2.6
1.65
0
V
DDQ
*0.8
-0.3
-30
马克斯。
3.1
1.95
0
V
DDQ
+0.2
V
DDQ
*0.2
85
单位
V
V
V
V
V
°C
笔记
* 1 ：在输入和DQ引脚最大直流电压为V
DDQ
+ 0.2V 。在电压转换，输入可以肯定的
过冲至V
DDQ
+ 1.0V最高为5纳秒周期。
* 2 ：在输入或DQ引脚的最小直流电压为-0.3V 。在电压转换，输入可以负
冲V
SS
到-1.0V为高达为5ns周期。
在这些范围内运行设备的电气特性是必要的。
始终使用内推荐的工作条件的半导体器件。超出这些操作
范围可能不利地影响可靠性，并可能导致设备故障。
无担保是由相对于用途，工作条件，或者两者都不对代表
数据表。用户在未记载条件下使用，应联系其富士通
代表提前。
警告：
推荐的工作条件是对半导体器件的正常工作范围。所有
108
128MB PSRAM
2004年S71WS512NE0BFWZZ_00_A1 6月28日，
