订购数量： ENA1315
EMH2412
三洋半导体
数据表
EMH2412
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻。
最适合于的LiB充电和放电开关。
共漏型。
2.5V驱动器。
无卤素规定。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
当安装在陶瓷基体（ 900毫米
×0.8mm)
1unit
当安装在陶瓷基体（ 900毫米
×0.8mm)
2
2
条件
评级
24
±12
6
60
1.3
1.4
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
|
YFS
|
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 20V ， VGS = 0V
VGS = ± 8V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 3A
0.5
2.8
4.8
评级
民
24
-
-1
±10
1.3
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
标记： LM
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91008PE TI IM TC- 00001579号A1315-1 / 4
