订购数量： ENA1315
EMH2412
三洋半导体
数据表
EMH2412
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻。
最适合于的LiB充电和放电开关。
共漏型。
2.5V驱动器。
无卤素规定。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
当安装在陶瓷基体（ 900毫米
×0.8mm)
1unit
当安装在陶瓷基体（ 900毫米
×0.8mm)
2
2
条件
评级
24
±12
6
60
1.3
1.4
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
|
YFS
|
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 20V ， VGS = 0V
VGS = ± 8V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 3A
0.5
2.8
4.8
评级
民
24
-
-1
±10
1.3
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
标记： LM
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。该产品本文档中提及不得
被设计用于为任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，
航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号
系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁
人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得
其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用
我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围，例如使用的应用程序
应用程序，请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前
使用目的，我们的客户须自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并
不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该
客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估
独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的
产品或设备。
www.semiconductor-sanyo.com/network
91008PE TI IM TC- 00001579号A1315-1 / 4
EMH2412
从接下页。
参数
符号
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
RDS(on)4
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
ID = 3A ， VGS = 4.5V
ID = 3A ， VGS = 4V
ID = 3A ， VGS = 3.1V
ID = 1.5A ， VGS = 2.5V
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = 10V ， VGS = 4.5V ， ID = 6A
VDS = 10V ， VGS = 4.5V ， ID = 6A
VDS = 10V ， VGS = 4.5V ， ID = 6A
IS = 6A ， VGS = 0V
评级
民
16
17
18
21
典型值
21
22
25
30
310
1020
3000
2250
6.3
0.83
1.9
0.8
1.2
最大
27
29
34
42
单位
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
静态漏 - 源极导通电阻
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7045-006
电气连接
8
0.2
0.2
8
5
0.125
7
6
5
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ：源2
4 ： GATE2
5 ：排水
6 ：排水
7 ：漏
8 ：排水
1.7
2.1
1
0.5
2.0
4
0.2
1
2
3
4
顶视图
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ：源2
4 ： GATE2
5 ：排水
6 ：排水
7 ：漏
8 ：排水
三洋： EMH8
开关时间测试电路
4.5V
0V
VIN
VDD=10V
ID=3A
RL=3.33Ω
D
Rg
VOUT
PW=10μs
D.C.≤1%
G
0.05
VIN
0.75
EMH2412
P.G
50Ω
S
Rg=2kΩ
第A1315-2 / 4
EMH2412
2
100
7
5
3
2
ASO
允许功耗， PD - 含
1.6
PD - TA
当安装在陶瓷基板
(900mm
2
×0.8mm)
IDP=60A
PW≤10μs
10
0
1m
μ
s
s
ms
s
1.4
1.3
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
漏极电流ID -
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
ID=6A
10
DC
op
10
ERA
0m
To
t
al
TIO
n
在这一领域
由RDS （ ON）的限制。
(T
a=
2
1u
ni
di
ss
t
ip
a
TIO
5
°
C)
n
0.01
0.01
Ta=25°C
单脉冲
当安装在陶瓷基板
(900mm
2
×0.8mm)
1unit
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
漏极至源极电压VDS - V
IT13983
环境温度，钽 -
°C
IT13984
注意使用情况：由于EMH2412是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）
有限公司。本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障
或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给
上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备，
采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但
不限于保护电路和安全设计，冗余设计误差防止电路，以及
结构设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要
从有关根据上述法律，当局出口许可证。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和录音，或任何信息存储或检索系统，或
否则，没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"的
三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不能保证
量产。
当使用的技术信息或本文描述的产品，既没有担保也没有牌照应
授予有关知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或
第三者。三洋半导体有限公司。不得与有关第三的任何索赔或诉讼承担责任
党的它，是由于使用的技术信息和产品的知识产权
上面提到的。
该目录规定的9月， 2008年说明和信息，在此受
更改，恕不另行通知。
PS第A1315-4 / 4
订购数量： ENA1315A
EMH2412
三洋半导体
数据表
EMH2412
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻
最适合的LiB充电和放电开关
共漏型
2.5V驱动
无卤合规
在保护二极管
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
当安装在陶瓷基体（ 900毫米
×0.8mm)
1unit
当安装在陶瓷基体（ 900毫米
×0.8mm)
2
2
条件
评级
24
±12
6
60
1.3
1.4
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7045-006
0.2
0.125
产品&包装信息
包
： EMH8
JEITA ， JEDEC
:-
最小包装数量： 3000个/卷。
0.2
EMH2412-TL-H
8
5
大坪类型： TL
记号
LM
TL
1.7
2.1
LOT号
1
0.5
2.0
4
0.2
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ：源2
4 ： GATE2
5 ：排水
6 ：排水
7 ：漏
8 ：排水
三洋： EMH8
电气连接
8
7
6
5
0.05
0.75
1
2
3
4
http://semicon.sanyo.com/en/network
52312 TKIM / 91008PE TI IM TC- 00001579号A1315-1 / 7
EMH2412
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
RDS(on)4
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = 6A ， VGS = 0V
VDS = 10V ， VGS = 4.5V ， ID = 6A
请参阅特定网络版测试电路。
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 20V ， VGS = 0V
VGS = ± 8V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 3A
ID = 3A ， VGS = 4.5V
ID = 3A ， VGS = 4V
ID = 3A ， VGS = 3.1V
ID = 1.5A ， VGS = 2.5V
评级
民
24
-
-1
±10
0.5
2.8
16
17
18
21
4.8
21
22
25
30
310
1020
3000
2250
6.3
0.83
1.9
0.8
1.2
27
29
34
42
1.3
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
静态漏 - 源极导通电阻
开关时间测试电路
VIN
VDD=10V
ID=3A
RL=3.33Ω
D
Rg
VOUT
4.5V
0V
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
EMH2412
P.G
50Ω
S
Rg=2kΩ
订购信息
设备
EMH2412-TL-H
包
EMH8
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅和无卤素
第A1315-2 / 7
QQ：2880707522 复制
