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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第321页 > EL7532IYZ-T13
EL7532
数据表
2005年8月12日
FN7435.5
单片式2A降压稳压器
的EL7532是同步的,集成FET 2A降压
稳压器具有内部补偿。它工作的
输入电压范围为2.5V至5.5V ,可容纳
3.3V , 5V或单节锂离子电池电源供应。该
输出可在0.8V由外部设定为V
IN
带电阻
分频器。
该EL7532配备PWM模式控制。操作
频率通常为1.5MHz 。其他功能还包括一个
100ms的上电复位输出, <1μA关断电流,
短路保护和过温保护。
该EL7532是10引脚MSOP封装,
使得整个转换器占用小于0.18的
2
of
与仅在一侧部件的PCB面积。该包是
工作在-40 ° C至+ 85°C
温度范围。
特点
2A的连续电流(从-40 ° C至+ 85°C )
小于0.18
2
足迹完整的2A转换器
最大高度1.1毫米MSOP10
为1.5MHz (典型值)开关频率
100ms的上电复位输出( POR)
内部补偿的电压模式控制器
高达94 %的效率
<1μA关断电流
过流和过温保护
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
PDA和Pocket PC电脑
条码阅读器
订购信息
产品型号
(品牌)
EL7532IY
(巴巴)
EL7532IY-T7
(巴巴)
EL7532IY-T13
(巴巴)
EL7532IYZ
( BAARA ) (注)
EL7532IYZ-T7
( BAARA ) (注)
EL7532IYZ-T13
( BAARA ) (注)
10引脚MSOP
10引脚MSOP
10引脚MSOP
10引脚MSOP
(无铅)
10引脚MSOP
(无铅)
10引脚MSOP
(无铅)
磁带&
REEL
-
7”
13”
-
7”
13”
PKG 。
DWG 。 #
MDP0043
MDP0043
MDP0043
MDP0043
MDP0043
MDP0043
- ADSL调制解调器
- 便携式仪器
锂离子电池供电设备
ASIC / FPGA / DSP用品
机顶盒
典型应用原理图
V
IN
(2.5V-6V)
C
1
10F
R
3
100
C
3
0.1F
EN
POR
RSI
VIN
VDD
VO
LX
L
1
1.8H
V
O
( 1.8V @ 2A )
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板终止完成,这是符合RoHS标准,
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
EL7532
FB
SGND
保护地
C
2
10F
R
2
*
124k
R
1
*
100k
* V
O
= 0.8V *(1 + R
2
/ R
1
)
引脚
1
SGND
2
保护地
3
LX
4
VIN
5
VDD
FB
10
VO
9
POR
8
EN
7
RSI
6
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004年, 2005年版权所有。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
EL7532
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
V
IN
, V
DD
,上电复位至SGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6.5V
LX至PGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到(V
IN
+ +0.3V)
RSI , EN ,V
O
, FB到SGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到(V
IN
+ +0.3V)
PGND到SGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 0.3V
峰值输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.4A
ESD分类
人体模型(每JESD22 - A114 -B ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热电阻(典型值)
θ
JA
( ° C / W)
MSOP10包(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 125°C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
重要提示:为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明,所有的测试都
在特定的温度,并且脉冲测试,因此:T已
J
= T
C
= T
A
注意:
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
电气规格
参数
DC特性
V
FB
I
FB
V
IN
, V
DD
V
IN,关
V
IN, ON
I
DD
V
DD
= V
IN
= V
EN
= 3.3V , C1 = C2 = 10μF , L =值是1.8μH ,V
O
= 1.8V ,除非另有规定。
条件
典型值
最大
单位
描述
反馈输入电压
反馈输入电流
输入电压
最低电压关断
最大电压启动
电源电流
V
IN
落下
V
IN
升起
PWM ,V
IN
= V
DD
= 5V
EN = 0 ,V
IN
= V
DD
= 5V
790
800
810
250
mV
nA
V
V
V
A
A
m
m
A
°C
°C
2.5
2
2.2
400
0.1
52
35
3
牛逼上升
牛逼下降
V
EN
, V
RSI
= 0V到3.3V
V
DD
= 3.3V
V
DD
= 3.3V
V
FB
升起
V
FB
落下
I
SINK
= 5毫安
V
IN
= 2.5V至6V ,我
OUT
= 2A ,V
OUT
= 1.8V
V
IN
= 3.3V, V
OUT
= 1.8V ,我
OUT
= 0 2A
86
35
0.1
0.5
0.8
-1
145
130
5.5
2.2
2.4
500
1
80
65
R
DS ( ON) -PMOS
PMOS FET电阻
V
DD
只= 5V ,晶圆测试
V
DD
只= 5V ,晶圆测试
R
DS ( ON) -NMOS
NMOS FET电阻
I
LMAX
T
OT ,关
T
OT ,ON
I
EN
, I
RSI
V
EN1
, V
RSI1
V
EN2
, V
RSI2
V
POR
电流限制( GBD )
过温阈值( GBD )
过温迟滞( GBD )
EN , RSI电流
EN , RSI上升阈值
EN , RSI下降阈值
最小V
FB
对于POR , WRT目标
V
FB
价值
上电复位电压降
线路调整( GBD )
负载调整率( GBD )
1
2.4
V
V
V
95
%
%
V
OLPOR
V
LINEREG
V
LOADREG
70
mV
%/V
%
AC特性
F
PWM
t
RSI
t
SS
t
POR
PWM开关频率
RSI最小脉冲宽度( GBD )
软启动时间( GBD )
上电复位延迟时间( GBD )
80
通过设计保证
1.35
1.5
25
650
100
120
1.65
50
兆赫
ns
s
ms
GBD =设计保证
2
FN7435.5
2005年8月12日
EL7532
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚名称
SGND
保护地
LX
VIN
VDD
RSI
EN
POR
VO
FB
负电源的控制器阶段
负电源的功率级
电感器驱动销;与平均电压等于稳压器的输出电压高电流的数字输出
正电源的功率级
电源为控制器的阶段
复位POR定时器;连接到地,如果不使用
启用;可以直接连接到VIN为使
上电复位开漏输出;开路如果不使用
输出电压检测引脚
电压反馈输入;连接到V之间一个外部电阻分压器
O
和SGND变
产量
引脚功能
框图
5
9
V
DD
V
O
10pF
+
-
当前
极限
PWM
COMPEN-
+
-
PWM
比较
控制
逻辑
124K
V
IN
4
10
FB
5M
-
+
100K
时钟
1.5MHz
EN
坡道
发电机
P- DRIVER
LX
1.8
3
7
1.8V
2A
EN
开始
N驱动器
理解
电压
封锁
温度
SENSE
10F
10F
2.5V-
5V
+
带隙
参考
保护地
POR
2
100K
PG
1
SGND
POR
RSI
8
6
3
FN7435.5
2005年8月12日
EL7532
典型性能曲线
100
80
效率(%)
60
40
V
O
=1.8V
20
最高效率,
η=95%
0
0
0.5
1
1.5
I
OUT
(A)
2
2.5
效率(%)
100
80
60
V
O
=1.8V
40
20
最高效率,
η=95%
0
0
0.5
1
1.5
I
OUT
(A)
2
2.5
V
O
=2.5V
V
O
=1.2V
V
O
=1.2V
V
O
=3.3V
图1.效率与我
OUT
@ V
IN
=5V
图2.效率与我
OUT
@ V
IN
=3.3V
100
80
60
V
O
=1.8V
40
20
最高效率,
η=94%
0
0
0.5
1
1.5
I
OUT
(A)
2
2.5
V
O
=1.2V
V
O
变动( % )
效率(%)
1
I
O
=2A
0.6
0.2
-0.2
-0.6
-1
2.5
V
O
=2.5V
V
O
=3.3V
V
O
=0.8V
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
V
IN
(V)
图3.效率与我
OUT
@ V
IN
=2.5V
图4.线路调整
1
0.6
V
O
变动( % )
0.2
-0.2
-0.6
-1
0
0.5
1
1.5
I
OUT
(A)
2
2.5
V
O
=0.8V
V
O
=3.3V
V
O
变动( % )
1
0.6
0.2
-0.2
-0.6
-1
0
0.5
1
1.5
I
OUT
(A)
2
2.5
V
O
=0.8V
V
O
=2.5V
图5.负载稳定@ V
IN
=5V
图6.负载调节@ V
IN
=3.3V
4
FN7435.5
2005年8月12日
EL7532
典型性能曲线
1
V
IN
V
O
变动( % )
0.5
V
O
=0.8V
i
L
0
V
O
=1.8V
-0.5
V
O
0
0.5
1
1.5
I
OUT
(A)
2
2.5
1s/d
10mV/d
V
LX
2V/d
0.5A/d
100mV/d
(续)
-1
图7.负载调节@ V
IN
=2.5V
图8.负载调节@ V
IN
=2.5V
V
IN
(1V/d)
V
IN
(2V/d)
I
IN
(0.5A/d)
V
O
(2V/d)
POR
(2V/d)
V
O
(1V/d)
0.5ms/d
50ms/d
图9. START - UP 1
图10. START -UP 2
V
IN
(2V/d)
V
O
(2V/d)
V
O
50mV/d
RSI
(2V/d)
POR
(2V/d)
2A
I
O
0.1A
50ms/d
0.5ms/d
图11.上电复位功能
图12.瞬态响应
5
FN7435.5
2005年8月12日
EL7532
数据表
2006年12月8日
FN7435.7
单片式2A降压稳压器
的EL7532是同步的,集成FET 2A降压
稳压器具有内部补偿。它工作的
输入电压范围为2.5V至5.5V ,可容纳
3.3V , 5V或单节锂离子电池电源供应。该
输出可在0.8V由外部设定为V
IN
带电阻
分频器。
该EL7532配备PWM模式控制。操作
频率通常为1.5MHz 。其他功能还包括一个
100ms的上电复位输出, <1μA关断电流,
短路保护和过温保护。
该EL7532是10引脚MSOP封装,
使得整个转换器占用小于0.18的
2
of
与仅在一侧部件的PCB面积。该包是
工作在-40 ° C至+ 85°C
温度范围。
特点
2A的连续电流(从-40 ° C至+ 85°C )
小于0.18
2
足迹完整的2A转换器
最大高度1.1毫米MSOP10
为1.5MHz (典型值)开关频率
100ms的上电复位输出( POR)
内部补偿的电压模式控制器
高达94 %的效率
<1μA关断电流
过流和过温保护
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
PDA和Pocket PC电脑
条码阅读器
订购信息
部分
磁带&
部件号标记REEL
EL7532IY
EL7532IY-T7
EL7532IY-T13
EL7532IYZ
(注)
EL7532IYZ-T7
(注)
EL7532IYZ-T13
(注)
巴巴
巴巴
巴巴
BAARA
BAARA
BAARA
-
7”
13”
-
7”
13”
10引脚MSOP
10引脚MSOP
10引脚MSOP
10引脚MSOP
(无铅)
10引脚MSOP
(无铅)
10引脚MSOP
(无铅)
PKG 。
DWG 。 #
MDP0043
MDP0043
MDP0043
MDP0043
MDP0043
MDP0043
- ADSL调制解调器
- 便携式仪器
锂离子电池供电设备
ASIC / FPGA / DSP用品
机顶盒
典型应用原理图
V
S
( 2.5V至5.5V )
VIN
R
3
100Ω
C
2
10F
C
3
0.1F
R
5
100kΩ
POR
EN
R
4
100kΩ
RSI
R
6
100kΩ
FB
R
2
*
100kΩ
VO
VDD
EL7532
LX
L
1
1.8H
C
1
10F
V
O
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板终止完成,这是符合RoHS标准,
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
R
1
*
124kΩ
C
4
470pF
引脚
EL7532 ( 10引脚MSOP )
顶视图
1
SGND
2
保护地
3
LX
4
VIN
5
VDD
FB
10
VO
9
POR
8
EN
7
RSI
6
保护地
SGND
( 1.8V @ 2A )
* V
O
= 0.8V *(1 + R
1
/ R
2
)
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004,2005 , 2006.保留所有权利。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
EL7532
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
V
IN
, V
DD
,上电复位至SGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6.5V
LX至PGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到(V
IN
+ +0.3V)
RSI , EN ,V
O
, FB到SGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到(V
IN
+ +0.3V)
PGND到SGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 0.3V
峰值输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.4A
ESD分类
人体模型(每JESD22 - A114 -B ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热电阻(典型值)
θ
JA
( ° C / W)
MSOP10包(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 125°C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
重要提示:为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明,所有的测试都
在特定的温度,并且脉冲测试,因此:T已
J
= T
C
= T
A
电气规格
参数
DC特性
V
FB
I
FB
V
IN
, V
DD
V
IN,关
V
IN, ON
I
DD
V
DD
= V
IN
= V
EN
= 3.3V , C1 = C2 = 10μF , L =值是1.8μH ,V
O
= 1.8V ,除非另有规定。
条件
典型值
最大
单位
描述
反馈输入电压
反馈输入电流
输入电压
最低电压关断
最大电压启动
电源电流
V
IN
落下
V
IN
升起
PWM ,V
IN
= V
DD
= 5V
EN = 0 ,V
IN
= V
DD
= 5V
790
800
810
250
mV
nA
V
V
V
A
A
A
°C
°C
2.5
2
2.2
400
0.1
52
35
3
牛逼上升
牛逼下降
V
EN
, V
RSI
= 0V到3.3V
V
DD
= 3.3V
V
DD
= 3.3V
V
FB
升起
V
FB
落下
I
SINK
= 5毫安
V
IN
= 2.5V至6V ,我
OUT
= 2A ,V
OUT
= 1.8V
V
IN
= 3.3V, V
OUT
= 1.8V ,我
OUT
= 0 2A
86
35
0.1
0.5
0.8
-1
145
130
5.5
2.2
2.4
500
1
80
65
R
DS ( ON) -PMOS
PMOS FET电阻
V
DD
只= 5V ,晶圆测试
V
DD
只= 5V ,晶圆测试
R
DS ( ON) -NMOS
NMOS FET电阻
I
LMAX
T
OT ,关
T
OT ,ON
I
EN
, I
RSI
V
EN1
, V
RSI1
V
EN2
, V
RSI2
V
POR
电流限制( GBD )
过温阈值( GBD )
过温迟滞( GBD )
EN , RSI电流
EN , RSI上升阈值
EN , RSI下降阈值
最小V
FB
对于POR , WRT目标
V
FB
价值
上电复位电压降
线路调整( GBD )
负载调整率( GBD )
1
2.4
V
V
V
95
%
%
V
OLPOR
V
LINEREG
V
LOADREG
70
mV
%/V
%
AC特性
F
PWM
t
RSI
t
SS
t
POR
PWM开关频率
RSI最小脉冲宽度( GBD )
软启动时间( GBD )
上电复位延迟时间( GBD )
80
通过设计保证
1.35
1.5
25
650
100
120
1.65
50
兆赫
ns
s
ms
GBD =设计保证
2
FN7435.7
2006年12月8日
EL7532
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚名称
SGND
保护地
LX
VIN
VDD
RSI
EN
POR
VO
FB
负电源的控制器阶段
负电源的功率级
电感器驱动销;与平均电压等于稳压器的输出电压高电流的数字输出
正电源的功率级
电源为控制器的阶段
复位POR定时器;连接到地,如果不使用
启用;可以直接连接到VIN为使
上电复位开漏输出;开路如果不使用
输出电压检测引脚
电压反馈输入;连接到V之间一个外部电阻分压器
O
和SGND变
产量
引脚功能
框图
5
9
V
DD
V
O
10pF
+
-
当前
极限
+
-
PWM
比较
控制
逻辑
V
IN
4
124K
10
FB
5M
-
+
PWM
COMPEN-
100K
时钟
1.5MHz
EN
坡道
发电机
P- DRIVER
LX
1.8
3
7
EN
开始
N驱动器
理解
电压
封锁
温度
SENSE
1.8V
2A
10F
10F
2.5V-
5V
+
带隙
参考
保护地
POR
2
100K
PG
1
SGND
POR
8
6
RSI
3
FN7435.7
2006年12月8日
EL7532
典型性能曲线
100
80
效率(%)
60
40
V
O
= 1.8V
20
0
最高效率,
η
= 95%
0
0.5
1
1.5
I
OUT
(A)
2
2.5
效率(%)
100
80
60
V
O
= 1.2V
40
20
0
最高效率,
η
= 95%
0
0.5
1
1.5
I
OUT
(A)
2
2.5
V
O
= 2.5V
V
O
= 1.8V
V
O
= 1.2V
V
O
= 3.3V
图1.效率与我
OUT
@ V
IN
= 5V
图2.效率与我
OUT
@ V
IN
= 3.3V
100
80
60
V
O
= 1.8V
40
20
0
最高效率,
η
= 94%
0
0.5
1
1.5
I
OUT
(A)
2
2.5
V
O
= 1.2V
V
O
变动( % )
效率(%)
1
0.6
0.2
-0.2
-0.6
-1
2.5
V
O
= 2.5V
V
O
= 3.3V
V
O
= 0.8V
I
O
= 2A
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
V
IN
(V)
图3.效率与我
OUT
@ V
IN
= 2.5V
图4.线路调整
1
0.6
V
O
变动( % )
0.2 V
O
= 0.8V
-0.2
-0.6
-1
V
O
= 3.3V
V
O
变动( % )
1
0.6
0.2
V
O
= 0.8V
-0.2 V
O
= 2.5V
-0.6
-1
0
0.5
1
1.5
I
OUT
(A)
2
2.5
0
0.5
1
1.5
I
OUT
(A)
2
2.5
图5.负载稳定@ V
IN
= 5V
图6.负载调节@ V
IN
= 3.3V
4
FN7435.7
2006年12月8日
EL7532
典型性能曲线
1
ΔV
IN
V
O
变动( % )
0.5
V
O
= 0.8V
i
L
0
V
O
= 1.8V
-0.5
ΔV
O
0
0.5
1
1.5
I
OUT
(A)
2
2.5
1s/d
10mV/d
V
LX
2V/d
0.5A/d
100mV/d
(续)
-1
图7.负载调节@ V
IN
= 2.5V
图8.负载调节@ V
IN
= 2.5V
V
IN
(1V/d)
V
IN
(2V/d)
I
IN
(0.5A/d)
V
O
(2V/d)
POR
(2V/d)
V
O
(1V/d)
0.5ms/d
50ms/d
图9. START - UP 1
图10. START -UP 2
V
IN
(2V/d)
V
O
(2V/d)
ΔV
O
50mV/d
RSI
(2V/d)
POR
(2V/d)
2A
I
O
0.1A
50ms/d
0.5ms/d
图11.上电复位功能
图12.瞬态响应
5
FN7435.7
2006年12月8日
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