IL410/IL4108
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，零
穿越，
高dv / dt ，低输入电流
技术信息整流
行为
10
3
T
j
= 25 °C
100 °C
10
2
5
在输出端采用了可控硅造成的困难
换由于两个内置的耦合晶闸管
系统。双向可控硅可以保持导通寄生
关闭控制电流之后触发。然而，如果
IL410 / 4108配有两个独立的可控硅芯片
具有高的dV / dt的强度，没有RC电路中需要的情况下
减刑。
I
DINH
(s)
10
1
5
I
DINH
= F（我
F
/I
FT
25 °C),
V
D
= 600
V,
参数：T已
j
0
iil410_10
电流换向：
值100 A /毫秒以下的峰值反向恢复
当前> 80毫安不应超过。
10
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
I
F
/I
FT25 ℃，
图。 10 - 典型电流抑制
避免高频率
电流振荡：
打开-O FF
0.6
0.5
40到60赫兹
行操作，
P
合计
= F（我
真有效值
)
开关电路时，可能会出现这种效果。当前
基本上出现与感性负载振荡
较高的绕组容量的结果，在电流换向和
可以产生一个相对高的峰值反向恢复电流。
下面的交替保护措施
推荐用于单独操作的状态：
P
合计
(W)
0.4
0.3
1
0.2
0.1
0
0
iil410_11
6
2
5
0.1
F
220
V~
100
200
300
I
真有效值
（MA ）
3
4
图。 11 - 功耗40到60 Hz线路运行
iil410_13
12
V
TJ = 25 C
100 °C
图。 13 - 1 - 应用一个电容电源引脚在负载侧
V
DINH分钟。
(V)
10
33
Ω
8
1
6
V
DINH分钟= F（中频/ IFT25 ℃）
参数：T已
j
设备零
电压
开关可以
be
引发
只有在孵化的
下面
T
j
曲线。
6
2
5
22 nF的
220
V~
4
10
0
iil410_12
3
5
10
1
5
10
2
4
I
F
/I
FT25 ℃，
图。 12 - 典型的静态抑制电压限制
iil410_14
图。 14 - 2 - 连接一个串联电阻的输出和两个桥
由电容
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6
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文档编号： 83627
修订版1.6 ， 09 -JAN- 08
