IL410/IL4108
光电耦合器，光敏可控硅输出，零
威世半导体
穿越，
高dv / dt ，低输入电流
电气特性
参数
输入
正向电压
反向电流
输入电容
热阻，结到环境
产量
断态电压
重复峰值断态电压
I
D（ RMS）
= 70 A
I
DRM
= 100 A
V
D
= V
DRM
, T
AMB
= 100 °C,
I
F
= 0毫安
V
D
= V
DRM
, I
F
=额定我
FT
通态电压
通态电流
浪涌（非重复） ，通态电流
触发电流1
触发电流2
触发电流温度。梯度
抑制电压的温度。梯度
断态电流抑制状态
保持电流
闭锁电流
零交叉禁止电压
开启时间
打开-O FF时间
断态电压临界上升率
V
T
= 2.2 V
I
F
=额定我
FT
V
RM
= V
DM
= V
D（ RMS）
PF = 1.0，我
T
= 300毫安
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
j
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
j
= 80 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
j
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
j
= 80 °C
I
F
= I
FT1
, V
DRM
I
T
= 300毫安
PF = 1.0 ，V
T（ RMS ）
= 1.7 V
F = 50赫兹
V
D
= 5.0 V
V
OP
= 220 V，F = 50 Hz时，
T
j
= 100 ° C，T
pF
> 10毫秒
IL410
IL4108
IL410
IL4108
V
D（ RMS）
V
D（ RMS）
V
DRM
V
DRM
I
D(RMS)1
I
D(RMS)2
V
TM
I
TM
I
TSM
I
FT1
I
FT2
ΔI
FT1
/ΔT
j
ΔI
FT2
/ΔT
j
ΔV
DINH
/ΔT
j
I
DINH
I
H
I
L
V
IH
t
on
t
关闭
dv / dt的
cr
dV
CRQ
/ DT
dv / dt的
CRQ
dv / dt的
CRQ
的di / dt
CRQ
R
thJA
10000
5000
10000
5000
8.0
150
7.0
7.0
- 20
50
65
5.0
15
35
50
25
200
500
1.7
424
565
600
800
10
100
200
3.0
300
3.0
2.0
6.0
14
14
460
V
V
V
V
A
A
V
mA
A
mA
mA
μA /°C的
μA /°C的
毫伏/°C的
A
A
mA
V
s
s
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
A / μs的
° C / W
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
I
R
C
IN
R
thJA
1.16
0.1
25
750
1.35
10
V
A
pF
° C / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
FF-态电流
上升电压的电流的临界速度
换相
对国家崛起的临界速度
热阻，结到环境
耦合器
耦合临界上升率
输入/输出电压
共模耦合电容
电容（输入输出）
绝缘电阻
I
T
= 0 ，V
RM
= V
DM
= V
D（ RMS）
dV
IO
/ DT
C
CM
10000
0.01
0.8
≥
≥
10
12
10
11
V / μs的
pF
pF
Ω
Ω
F = 1.0兆赫，V
IO
= 0 V
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
C
IO
R
IO
R
IO
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
文档编号： 83627
修订版1.6 ， 09 -JAN- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
3
