IPW50R299CP
的CoolMOS
TM
功率晶体管
特点
最低品质因数的R
ON
X Q
g
超低栅极电荷
至尊的dv / dt评分
高峰值电流能力
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据JEDEC Quailfied
1)
为目标的应用
产品概述
V
DS
@T
JMAX
R
DS （ ON） ，最大
Q
克，典型值
550
0.299
23
V
nC
TO-247-3-1
的CoolMOS CP是专为：
硬&软开关SMPS拓扑结构
CCM PFC用于笔记本适配器， PDP和LCD电视
PWM用于笔记本适配器， PDP和LCD电视
TYPE
IPW50R299CP
包
PG-TO247
记号
5R299P
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，重复
t
AR2),3)
雪崩电流，重复性
t
AR2),3)
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
的dV / dt
V
GS
V
DS
=0...400 V
STATIC
AC（ f>1赫兹）
功耗
工作和存储温度
安装力矩
修订版2.0
P
合计
T
j
,
T
英镑
M3和M3.5螺丝
第1页
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=4.4 A,
V
DD
=50 V
I
D
=4.4 A,
V
DD
=50 V
价值
12
8
26
289
0.44
4.4
50
±20
±30
104
-55 ... 150
60
W
°C
NCM
2007-11-07
A
V / ns的
V
mJ
单位
A
请注意，新的封装尺寸arccording到PCN 2009-134 -A
