【IPW50R299CP的CoolMOSTM功率晶体管特点最低品质因数的RONX Qg超低栅极电荷至尊】,IC型号IPW50R299CP,IPW50R299CP PDF资料,IPW50R299CP经销商,ic,电子元器件-51电子网

IPW50R299CP

的CoolMOS

功率晶体管

特点

最低品质因数的R

X Q

超低栅极电荷

至尊的dv / dt评分

高峰值电流能力

无铅引脚镀层;符合RoHS标准

根据JEDEC Quailfied

为目标的应用

产品概述

JMAX

DS （ ON），最大

克，典型值

550

0.299

TO-247-3-1

的CoolMOS CP是专为：

硬&软开关SMPS拓扑结构

CCM PFC用于笔记本适配器， PDP和LCD电视

PWM用于笔记本适配器， PDP和LCD电视

TYPE

IPW50R299CP

包

PG-TO247

记号

5R299P

最大额定值，

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

=25 °C

=100 °C

漏电流脉冲

雪崩能量，单脉冲

雪崩能量，重复

AR2),3)

雪崩电流，重复性

AR2),3)

MOSFET的dv / dt坚固

门源电压

D，脉冲

的dV / dt

=0...400 V

STATIC

AC（ f>1赫兹）

功耗

工作和存储温度

安装力矩

修订版2.0

合计

英镑

M3和M3.5螺丝

第1页

=25 °C

=4.4 A,

=50 V

=4.4 A,

=50 V

价值

289

0.44

4.4

±20

±30

104

-55 ... 150

°C

NCM

2007-11-07

V / ns的

单位

请注意，新的封装尺寸arccording到PCN 2009-134 -A

IPW50R299CP

最大额定值，

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续二极管的正向电流

二极管脉冲电流

反向二极管的dv / dt

符号条件

S，脉冲

的dV / dt

=25 °C

价值

6.6

V / ns的

单位

参数

符号条件

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

热特性

热阻，结 - 案

热阻，结 -

环境

焊接温度，

波峰焊只允许在引线

thJC

thJA

含铅

1.6毫米（ 0.063英寸）

从案例10秒

1.2

K / W

出售

260

°C

电气特性，

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

（ BR ） DSS

=0 V,

=250 A

GS （ TH）

= 0.44毫安

=500 V,

=0 V,

=25 °C

=500 V,

=0 V,

=150 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

GSS

DS （ ON）

=20 V,

=0 V

=10 V,

=6.6 A,

=25 °C

=10 V,

=6.6 A,

=150 °C

栅极电阻

= 1 MHz时，漏极开路

500

2.5

3.5

零栅极电压漏极电流

DSS

0.27

100

0.299

0.68

2.2

修订版2.0

第2页

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IPW50R299CP

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

有效输出电容，能量

相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

反向二极管

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

值

典型值。

马克斯。

单位

国际空间站

OSS

O（ ER ）

=0 V,

=100 V,

= 1兆赫

1190

=0 V,

=0 V

至400 V

O（ TR ）

D（上）

D（关闭）

=400 V,

=10 V,

=6.6 A,

=27.9

110

高原

=400 V,

=6.6 A,

= 0到10伏

5.2

RRM

=0 V,

=6.6 A,

=25 °C

0.9

260

2.6

1.2

=400 V,

/ DT = 100 A / μs的

J- STD20和JESD22

脉冲宽度

受

， MAX

重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

*f.

≤I

， di / dt的

≤200A/s,

的dcLINK

=400V,

PEAK

＆ LT ; V

（ BR ） DSS

＆ LT ;吨

JMAX

，相同的低和高侧开关

O（ ER ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

OSS

而

上升，从0至80％

DSS 。

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

OSS

而

上升，从0至80％

DSS 。

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第3页

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1功耗

合计

= F （T

)

2安全工作区

= F（V

);

=25 °C;

参数：

120

100

限于由导通状态

阻力

1 s

10 s

1毫秒

100 s

合计

[W]

[A]

10毫秒

100

125

150

175

-1

[°C]

[V]

3最大。瞬态热阻抗

（ thJC ）

= F （T

);

参数：

D =吨

4典型。输出特性

= F（V

);

=25 °C

参数：

20 V

10 V

0.5

thJC

〔 K / W〕

[A]

0.2

0.1

5.5 V

-1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

4.5 V

-2

-5

-4

-3

-2

-1

[s]

[V]

修订版2.0

第4页

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5典型。输出特性

= F（V

);

=150 °C

参数：

20 V

10 V

6典型。漏源导通电阻

DS （ ON）

= F（我

);

=150 °C

参数：

1.5

6.5 V

10 V

5.5 V

1.3

DS （ ON）

[

]

1.1

[A]

4.5 V

0.9

5.5 V

0.7

0.5

[V]

[A]

7漏源导通电阻

DS （ ON）

= F （T

);

=6.6 A;

=10 V

8典型。传输特性

= F（V

); |V

|>2|I

DS （ ON）最大值

参数：

0.8

25 °C

0.7

0.6

DS （ ON）

[

]

0.5

[A]

典型值

150 °C

0.4

0.3

98 %

0.2

0.1

-60

-20

100

140

180

[°C]

[V]

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第5页

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全新原装正品现货热卖

深圳市俊晖半导体有限公司

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联系人：李先生【原装正品,可开发票】

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8963

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INFINEON

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100%原装正品，只做原装正品

深圳市楷瑞达科技电子有限公司

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电话：13528893675

联系人：朱先生

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22+

10000███★★（保证原装）★★

TO-247

原装正品现货样品可售长期货源

深圳市集创讯科技有限公司

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