ISL12022M
VDD TRIP2 ， VDD ：节电水平由3位选择
TRIP1和VDD Trip0在PWR_ VDD注册。该LVDD
检测是仅在VDD的模式和检测启用
实时发生。该LVDD位被置位时的V
DD
已经下降到低于预先选定的跳闸电平，并自清漆
每当V
DD
高于预先选择的跳闸电平。
低电量指标的85％ BIT （ LBAT85 ）
在正常模式（V
DD
） ，该位表示电池时，
水平已经下降到低于预先选定的断路电平。行程
点被选择由三个比特： VB85Tp2 ， VB85Tp1和
VB85Tp0在PWR_VBAT注册。该LBAT85
检测情况自动每分钟一次的时候
秒寄存器达到59.检测，也可
在BETA寄存器设置TSE位手动触发
“1”。该LBAT85位设置在V时
BAT
下面下降
预先选定的触发电平，并且将自己清楚，当V
BAT
是上面在下次检测的预先选定的触发电平
周期或者通过手动或自动触发。
在电池模式下（V
BAT
） ，该位表示该设备有
通过轮询一次，每10分钟进入电池模式。
该LBAT85检测自动发生一次，当
分钟寄存器达到x9h或X0H分钟。
例如 - 当LBAT85设置为“1”，在电池模式下：
微小寄存器变为19H时，该设备是在
电池模式下， LBAT85被设置为“1”的下一个时间的
设备切换回普通模式。
例如 - 当LBAT85保持为“0 ”电池
模式：
如果设备进入电池模式分钟后，
寄存器达到20小时，并切换回正常模式
前一分钟寄存器达到29H ，则LBAT85位
将保持在“0”的下一个时间的设备切换回
正常模式。
低电量指标的75％ BIT （ LBAT75 ）
在正常模式（V
DD
） ，该位表示电池时，
水平已经下降到低于预先选定的断路电平。行程
点被选择由三个比特： VB75Tp2 ， VB75Tp1和
VB75Tp0在PWR_VBAT注册。该LBAT75
检测情况自动每分钟一次的时候
秒寄存器达到59.检测，也可
在BETA寄存器设置TSE位手动触发
“1”。该LBAT75位设置在V时
BAT
下面下降
预先选定的触发电平，并且将自己清楚，当V
BAT
是上面在下次检测的预先选定的触发电平
周期或者通过手动或自动触发。
在电池模式下（V
BAT
） ，该位表示该设备有
通过轮询一次，每10分钟进入电池模式。
该LBAT85检测自动发生一次，当
分钟寄存器达到x9h或X0H分钟。
例如 - 当LBAT75设置为“ 1 ”，在电池模式：
微小寄存器变为30H时，该设备是在
电池模式下， LBAT75被设置为“1”的下一个时间的
设备切换回普通模式。
示例 - 当LBAT75在电池仍然处于“0”
模式：
如果设备进入电池模式分钟后寄存器
到达49H和切换回正常模式之前，
分钟寄存器达到50小时，然后在LBAT75位将保持
“0”在下一次设备切换回普通模式。
实时时钟故障位（ RTCF ）
该位被一个总电源故障后设定为“1”。这是一个只读
只有由硬件（ ISL12022M内部）位时，
器件上电后，失去了所有的电源（定义为
V
DD
= 0V和V
BAT
= 0V）。该位被置位，无论
无论是V
DD
或V
BAT
首先应用。仅1所受的损失
耗材不设置RTCF位为“1” 。第一个有效
一个完整的电源故障后写入RTC节
将复位RTCF位为“ 0 ” （写一个字节就足够了） 。
中断控制寄存器（ INT ）
表3.中断控制寄存器（ INT ）
ADDR
08h
7
6
5
IM
4
3
2
1
0
ARST WRTC
FOBATB FO3 FO2 FO1 FO0
自动复位位（ ARST ）
该位使能/禁止ALM的自动复位，
仅LVDD ， LBAT85和LBAT75状态位。当ARST
位被置为“1” ，这些状态位都被复位到“0”之后的有效
读取各个状态寄存器（凭有效STOP
条件）。当ARST被清除为“0”时，用户必须
手动复位的ALM ， LVDD ， LBAT85和LBAT75位。
写RTC使能位（ WRTC ）
该WRTC位使能或禁止写入能力进入
RTC定时寄存器。该位的出厂默认设置
为“0” 。在初始化或上电时，该WRTC必须设置
为“1” ，以使能RTC 。当完成一个有效的
写（ STOP ） ，实时时钟开始计数。该内部的RTC
在1Hz的信号是同步的停止条件
有效的写周期。
中断/报警模式位（ IM ）
该位使能/禁用报警中断模式
功能。当IM位被置为“1”时，报警器将操作
在中断模式中，其中的有源低脉冲宽度
250ms的将出现在IRQ /女
OUT
脚当RTC是
由报警触发，通过报警寄存器定义
（ 0CH为11H ） 。当IM位清“ 0”时，报警器会
工作在标准模式下，其中的IRQ /女
OUT
销会
设置为低电平，直到ALM状态位清“ 0 ” 。
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FN6668.5
2009年7月10日
