ISL12022M
I
2
C接口
该ISL12022M有我
2
C串行总线接口，提供
访问控制和状态寄存器，并且用户
SRAM 。在我
2
C串行接口与其他兼容
行业我
2
用双向数据C串行总线协议
信号（ SDA）和时钟信号（SCL） 。
1.实时时钟（ 7个字节） ：地址00H到06H 。
2.控制和状态（ 9字节） ：地址07H到0Fh 。
3.报警（ 6个字节） ：地址10H到15H 。
4.时间戳电池状态（ 5个字节） ：地址为16H
1Ah.
5.时间戳V
DD
状态（ 5个字节） ：地址为1BH
1Fh.
6.日光节约时间（ 8个字节） ： 20H到27H 。
7. TEMP （2字节） ： 28小时至29h中。
8.水晶网PPM改正， NPPM （2字节） ： 2AH ， 2Bh个
9.水晶营业额温， XT0 （ 1字节） ：代下
10.水晶ALPHA在高温， ALPHA_H （1字节） ：
2Dh
11.便签（2字节） ：地址2Eh中断和2Fh的
写能力允许进入RTC寄存器（ 00h到06H ）
只有当WRTC位（地址08h的第6位）被设置为“1”。一
多字节读出或写入操作应限于一个
每次操作部最佳RTC计时性能。
的寄存器可以随时进行随机读取读取
处理在任何时间。这将返回寄存器的内容
位置。其他寄存器通过执行读
顺序读。为RTC和报警寄存器，读出
指令锁存时钟所有寄存器到缓冲区中，所以一
时钟不改变时间的更新被读出。在
的读出结束时，主站提供一个停止条件到
结束操作并释放总线。经过一读，地址
保持在以前的地址1 ，使用户可以执行
当前地址读出并继续读下一个
注册。当先前的地址是2Fh的，下
地址将返回到00h 。
没有必要设置WRTC位写入之前
控制和状态，报警和用户SRAM寄存器。
振荡器补偿
该ISL12022M同时提供初始定时校正和
温度校正由于晶体振荡器的变化。
模拟和数字微调控制被设置为初始
调整，和一个温度补偿功能是
提供自动校正的温度漂移
水晶。对于初始的AT和DT设置（ ITR0 ）的初始值，
温度系数（ α），液晶电容（ BETA ）
以及晶体翻转温度（ XTO ） ，是预先设定的
内部和回忆到RAM上电寄存器。
这些
值可以由用户来重写尽管这不是
建议作为所得到的温度补偿
性能将受到损害。
补偿
功能可启用/禁用在任何时间，可以用来
在电池模式下也是如此。
注册说明
在电池供电的寄存器访问下面一
对“ 1101111x ”奴隶字节，读取或写入地址
[ 00H ： 2Fh的。所定义的地址和缺省值是
在表1中所述的电池支持的一般描述中
目的SRAM具有不同的从机地址（ 1010111x ） ，所以
这是不可能读/写的存储器，而该部
访问寄存器。
寄存器访问
的寄存器中的内容可以通过执行一个修改
字节或直接在页面写操作的任何寄存器地址。
该寄存器被分成8个部分。他们是：
表1.寄存器映射（黄色阴影部分表示只读位）
REG
名字
SC
MN
HR
RTC
DT
MO
YR
DW
位
7
0
0
米尔
0
0
YR23
0
6
SC22
MN22
0
0
0
YR22
0
5
SC21
MN21
HR21
DT21
0
YR21
0
4
SC20
MN20
HR20
DT20
MO20
YR20
0
3
SC13
MN13
HR13
DT13
MO13
YR13
0
2
SC12
MN12
HR12
DT12
MO12
YR12
DW2
1
SC11
MN11
HR11
DT11
MO11
YR11
DW1
0
SC10
MN10
HR10
DT10
MO10
YR10
DW0
范围
0到59
0到59
0到23
131个
1至12个
0到99
06
默认
00h
00h
00h
01h
01h
00h
00h
ADDR 。部分
00h
01h
02h
03h
04h
05h
06h
11
FN6668.5
2009年7月10日
