RJK5012DPE
典型的电容比。
漏源极电压
初步
动态输入特性（典型）
V
DS
(V)
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 12 A
TA = 25
°C
600
V
DS
V
DD
= 100 V
250 V
400 V
V
GS
电容C （PF ）
1000
西塞
12
漏源极电压
100
科斯
400
8
10
TA = 25°C
1
0
100
CRSS
200
V
DD
= 400 V
250 V
100 V
8
16
24
32
4
0
40
200
300
0
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极电荷
QG （ NC ）
反向漏电流 -
源极到漏极电压（典型值）
20
5
门源截止电压
与外壳温度（典型）
I
DR
(A)
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
16
V
GS
= 0
TA = 25°C
脉冲测试
I
D
= 10毫安
4
1毫安
反向漏电流
12
3
0.1毫安
2
8
4
1
V
DS
= 10 V
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
外壳温度
TC （ ℃）
REJ03G1487-0300 Rev.3.00
2010年5月12日
第4 6
栅极至源极电压
V
GS
(V)
10000
800
16
