初步
数据表
RJK5012DPE
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.515
（典型值） 。 （在我
D
= 6 A，V
GS
= 10 V ， TA = 25
C)
低漏电流
高速开关
REJ03G1487-0300
Rev.3.00
2010年5月12日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B
（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ） ）
D
4
1.门
2.漏
3.源
4.漏
1
G
2
3
S
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
150C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
DR （脉冲）注1
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
θch -C
总胆固醇
TSTG
Note2
评级
500
30
12
24
12
24
4
0.88
100
1.25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
C
C
REJ03G1487-0300 Rev.3.00
2010年5月12日
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